芬兰VTT技术研究中心有限公司图奥马斯·彭萨拉获国家专利权
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龙图腾网获悉芬兰VTT技术研究中心有限公司申请的专利低损耗声装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113474993B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080013122.8，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权低损耗声装置是由图奥马斯·彭萨拉;塔帕尼·马克肯设计研发完成，并于2020-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本低损耗声装置在说明书摘要公布了：公开了声波装置。该装置包括基板614、双层反射器608和声波谐振器600。双层反射器在基板上方并且包括具有第一声阻抗的第一层610和具有低于第一声阻抗的第二声阻抗的第二层612。第一层具有第一表面，该第一表面包括提供空腔616的顶板的浮置区域618。第二层在第一层的浮置区域的顶部上。声波谐振器在双层反射器的第二层的顶部上。声波谐振器包括压电层604、电极602和反电极606，使得在电极与反电极之间的射频电压的施加在压电层中生成声谐振波。
本发明授权低损耗声装置在权利要求书中公布了：1.一种声波滤波器装置，包括： 基板； 在所述基板上方的双层反射器，所述双层反射器包括： 具有第一声阻抗的第一层，所述第一层具有第一表面，所述第一表面包括浮置区域，所述浮置区域提供空腔的顶板，以及 所述第一层的所述浮置区域的顶部上的第二层，所述第二层具有低于所述第一声阻抗的第二声阻抗；以及 在所述双层反射器的所述第二层的顶部上的声波谐振器，所述声波谐振器包括压电层、电极和反电极，使得在所述电极与所述反电极之间的射频电压的施加在所述压电层中生成声谐振波，其中，所述声波谐振器是从由横向体声波LBAW谐振器和兰姆波谐振器组成的组中选择的， 其中，所述双层反射器被设计成导致所述装置的单调频散性能使得对于大于特定频率的频率，所述装置的横向波数作为频率的函数单调增加， 其中，所述声波滤波器装置进一步包括在所述压电层中并且定位在所述谐振器的所述电极的横向外侧的一个或多个沟槽，所述一个或多个沟槽被配置为反射已经横向传播出所述压电层的所述声谐振波的至少一部分。
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