东洋铝株式会社;株式会社爱发科铃木绍太获国家专利权
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龙图腾网获悉东洋铝株式会社;株式会社爱发科申请的专利背接触型太阳能电池单元的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113785405B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080020684.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权背接触型太阳能电池单元的制造方法是由铃木绍太;马尔万·达姆林;山口升;铃木英夫设计研发完成，并于2020-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本背接触型太阳能电池单元的制造方法在说明书摘要公布了：提供背接触型太阳能电池单元的制造方法，能够以比现有制造方法少的工序数实施。本发明是背接触型太阳能电池单元的制造方法，依次有：在结晶硅基板10背面形成氧化膜20的工序A；在所述氧化膜20的暴露面形成硅薄膜层30A的工序B；在所述硅薄膜层30A以用机械硬掩模的离子注入法及活化退火局部形成n+层40的工序C；在经所述工序C所得具有所述氧化膜20、所述硅薄膜层30B及所述n+层40的所述结晶硅基板10两面形成钝化膜50的工序D；将形成于所述结晶硅基板10背面侧的所述钝化膜50的未覆盖所述n+层40的区域局部去除，在暴露的所述硅薄膜层30B形成一或多个铝电极60B的工序E。
本发明授权背接触型太阳能电池单元的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触型太阳能电池单元的制造方法，其特征在于，依次具有： 在结晶硅基板的背面形成氧化膜的工序A； 在所述氧化膜的暴露面形成硅薄膜层的工序B； 在所述硅薄膜层上通过使用了机械硬掩模的离子注入法及活化退火而局部地形成n+层的工序C； 在通过所述工序C得到的具有所述氧化膜、所述硅薄膜层以及所述n+层的所述结晶硅基板的两面形成钝化膜的工序D；以及 将形成于所述结晶硅基板背面侧的所述钝化膜中的未覆盖所述n+层的区域的一部分去除以形成使用了铝电极的p+层形成用的开口部，并在从所述开口部暴露的所述硅薄膜层上形成一个或多个包含p+层的铝电极的工序E。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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