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龙图腾网获悉广东致能科技有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113838929B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010593852.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由黎子兰设计研发完成，并于2020-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开内容提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括以一基材，在所述基材上形成的凹槽，受所述凹槽结构限制生长的所述沟道层结构，所述沟道层结构露出所述基材的上表面；覆盖在露出的沟道层结构上的势垒层，在所述沟道层结构的第二面和第一面上分别形成的二维电子气和二维空穴气，以及在所述沟道层结构第一面第二面上形成的源极、栅极和漏极；在所述沟道层结构第二面第一面上形成的底电极。所述半导体器件能够减小栅极漏电流，具有高阈值电压、高功率、高可靠性，能够实现低导通电阻和器件的常关状态，能够提供稳定的阈值电压，从而使得半导体器件具有良好的开关特性，在使用中更安全。以及可以有效地降低局部电场强度，提高器件的整体性能与可靠性；所述半导体器件的结构和制备工艺较为简单，能有效减低生产成本。

本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种调节半导体器件分布电场的方法，包括： 步骤100：提供一基材； 步骤200：在所述基材上形成一凹槽，所述凹槽的侧表面具有六角对称性的晶格结构； 步骤300：在所述凹槽中的所述侧表面上形成一单晶种籽层； 步骤400：以所述单晶种籽层为核心且受所述凹槽限制沿着所述凹槽生长一沟道层结构的第一子层、第二调节层、第一调节层和沟道层结构的第二子层； 步骤500：刻蚀所述基材，所述沟道层结构凸出所述刻蚀后的基材上表面； 步骤600：在露出的所述沟道层结构上形成势垒层，进而在所述沟道层结构的第一面形成二维电子气和不可移动的本底正电荷，和在所述沟道层结构的第二面上形成二维空穴气和不可移动的本底负电荷； 步骤700：在所述沟道层结构的第一面上形成源极、栅极、漏极，在所述沟道层结构的第二面上形成底电极，或者，在所述沟道层结构的第二面上形成源极、栅极、漏极，在所述沟道层结构的第一面上形成底电极； 其中，所述第一调节层为：对于HEMT器件则选择进行P-型掺杂，对于HHMT器件则选择进行N-型掺杂，所述第一调节层在所述沟道层结构第一面的投影落在所述栅极和所述漏极之间的范围内，或，所述第一调节层在所述沟道层结构第一面的投影与所述栅极在所述沟道层结构第一面的投影有部分的重叠范围； 所述第二调节层为：对于HEMT器件则选择进行P-型掺杂，对于HHMT器件则选择进行N-型掺杂，所述第二调节层在所述沟道层结构第一面的投影落在所述栅极的范围内。

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