台湾积体电路制造股份有限公司卿恺明获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体封装体及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921474B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110516008.3，技术领域涉及：H01L23/04；该发明授权半导体封装体及其制造方法是由卿恺明;叶书伸;陈见宏;游辉昌;郑幼敏设计研发完成，并于2021-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装体及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体封装体及其制造方法。一种半导体封装体包括衬底、半导体管芯、环形结构和盖。所述半导体管芯设置在所述衬底上。所述环形结构设置在所述衬底上并围绕所述半导体管芯，其中所述半导体管芯的第一侧与所述环形结构的内侧壁相隔第一间隙，且所述半导体管芯的第二侧与所述环形结构的所述内侧壁相隔第二间隙。所述第一侧与所述第二侧相对，并且所述第一间隙小于所述第二间隙。所述盖设置在所述环形结构上并具有形成在其中的凹陷，且所述凹陷在所述环形结构与所述盖的堆叠方向上与所述第一间隙交叠。
本发明授权半导体封装体及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装体，包括： 衬底； 半导体管芯，设置在所述衬底上； 环形结构，设置在所述衬底上并围绕所述半导体管芯，其中所述半导体管芯的第一侧与所述环形结构的内侧壁相隔第一间隙，且所述半导体管芯的第二侧与所述环形结构的所述内侧壁相隔第二间隙，其中所述第一侧与所述第二侧相对，并且所述第一间隙小于所述第二间隙；及 盖，设置在所述环形结构上并具有形成在其中的凹陷，所述凹陷在所述环形结构与所述盖的堆叠方向上与所述第一间隙交叠，其中所述凹陷的侧壁与所述凹陷的顶面相连并围绕其周边。
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