中国科学院物理研究所贾海强获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利一种纳米栅的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948378B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010691354.0，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种纳米栅的制备方法及其应用是由贾海强;陈弘;唐先胜设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米栅的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种纳米栅的制备方法，所述方法制得的纳米栅的结构包括括晶圆及在晶圆上相间排列的第一隔离层、纳米栅和、第二隔离层叠加第一隔离层形成的第三隔离层叠加第二隔离层形成的复合隔离层，还提供了其制备方法和应用。本发明的方法可以简化纳米尺度的栅的制备，精确控制栅长尺寸，并实现纳米栅器件的制备，进而提升电子器件的性能。
本发明授权一种纳米栅的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种纳米栅的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 1提供工艺制备所需的晶圆； 2在晶圆上沉积第一隔离层材料； 3将第一隔离层制备成图形结构； 4沉积第二隔离层材料，包覆所述图形结构； 5沉积第三隔离层材料，填充沟槽并覆盖表面；其中，所述第三隔离层材料与第一隔离层材料相同； 6对步骤5所得材料表面进行平坦化，得到第一隔离层、第二隔离层、第三隔离层叠加第二隔离层形成的复合隔离层相间排列的结构； 7刻蚀去除第一隔离层与复合隔离层之间的第二隔离层至晶圆表面； 8沉积纳米栅材料，填充沟槽并覆盖表面； 9对步骤8所得材料表面进行平坦化，去除表面的纳米栅材料，得到所述纳米栅。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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