复旦大学孟佳琳获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种双离子栅型神经形态器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005939B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111270357.8，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种双离子栅型神经形态器件及其制备方法是由孟佳琳;王天宇;陈琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双离子栅型神经形态器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种双离子栅型神经形态器件及其制备方法。该器件包括：衬底；背栅电极，形成在衬底上；背栅介质，其为离子氧化物薄膜，形成在背栅电极上；二维薄膜，形成在背栅介质上且位于背栅电极上方，作为沟道；源电极和漏电极，分别形成在沟道两端；顶栅电极，形成在背栅介质上，与沟道以一定间隔平行排列，顶栅电极的延伸方向与背栅电极的延伸方向正交，但不相交叠；以及顶栅介质，其为离子凝胶，覆盖沟道和顶栅电极，在顶栅以及背栅同时施加脉冲时序，对沟道电导进行调控，通过离子的迁移与注入实现器件电导范围的定量增加或减小，模拟异源性神经突触的两个前端对一个突触后端的调节过程，实现异源性神经形态计算协同工作模拟。
本发明授权一种双离子栅型神经形态器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双离子栅型神经形态器件，其特征在于， 包括： 衬底； 背栅电极，形成在所述衬底上； 背栅介质，其为LixSiO2、LixAlO2或LixTi2O4离子氧化物薄膜，形成在所述背栅电极上； 二维薄膜，形成在所述背栅介质上且位于所述背栅电极上方，作为沟道； 源电极和漏电极，分别形成在所述沟道两端； 顶栅电极，形成在所述背栅介质上，与所述沟道以一定间隔平行排列，所述顶栅电极的延伸方向与所述背栅电极的延伸方向正交，但顶栅电极与所述背栅电极不相交叠； 顶栅介质，其为Li离子凝胶，覆盖所述沟道和所述顶栅电极， 在顶栅以及背栅同时施加脉冲时序，对沟道电导进行调控，通过离子的迁移与注入实现器件电导范围的定量增加或减小，模拟异源性神经突触的两个前端对一个突触后端的调节过程，实现异源性神经形态计算协同工作模拟。
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