爱思开海力士有限公司李熙烈获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078532B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110339102.6，技术领域涉及：G11C16/16；该发明授权半导体存储器装置及其操作方法是由李熙烈设计研发完成，并于2021-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置及其操作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置包括预充电块、选择块、外围电路和控制逻辑。预充电块连接至位线并且包括处于擦除状态的存储器单元。选择块与预充电块共享位线，并且包括处于编程状态的存储器单元。外围电路对选择块执行擦除操作。控制逻辑控制外围电路以在向共同连接至预充电块和选择块的源极线施加擦除电压时，接通连接至预充电块的第一电路，并且向连接至第一电路的全局线施加第一电压。预充电块的存储器单元通过从全局线施加的第一电压导通，并且施加到源极线的擦除电压通过预充电块传送到多条位线。
本发明授权半导体存储器装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括： 预充电块，该预充电块连接至多条位线并且包括处于擦除状态的存储器单元； 选择块，该选择块与所述预充电块共享所述多条位线，并且包括处于编程状态的存储器单元； 外围电路，该外围电路被配置为对所述选择块执行擦除操作；以及 控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制所述外围电路，以在向共同连接至所述预充电块和所述选择块的源极线施加擦除电压时，接通连接至所述预充电块的第一块选择电路并且向连接至所述第一块选择电路的全局线施加第一电压， 其中，所述预充电块的所述存储器单元通过从所述全局线施加的所述第一电压导通，并且施加到所述源极线的所述擦除电压通过所述预充电块的所述存储器单元被传送到所述多条位线， 其中，所述全局线包括全局字线和全局选择线， 其中，在开始向所述全局字线施加接地电压之后，所述控制逻辑将施加到所述全局选择线的电压从第一电压增加到第二电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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