长江存储科技有限责任公司豆海清获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093877B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111323956.1，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权三维存储器及其制造方法是由豆海清;曾最新;周文犀设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种三维存储器及其制造方法，该三维存储器包括：位于衬底上的堆叠层以及栅极狭缝结构，穿过堆叠层且向第一方向延伸以将堆叠层划分为多个指状区域；其中，栅极狭缝结构包括第一栅极狭缝结构和第二栅极狭缝结构，第一栅极狭缝结构连续延伸，多个第二栅极狭缝结构沿第一方向分段设置在相邻的第一栅极狭缝结构之间，以及相邻的第二栅极狭缝结构的间距大于第一栅极狭缝结构与其相邻的第二栅极狭缝结构的间距。本申请能够增大第二栅极狭缝结构的端部处的工艺窗口，提高器件良率。
本发明授权三维存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.三维存储器，包括： 堆叠层，位于衬底上； 栅极狭缝结构，穿过所述堆叠层，所述栅极狭缝结构在与所述衬底平行的第一方向延伸，以将所述堆叠层划分为多个指状区域；其中，所述栅极狭缝结构包括第一栅极狭缝结构和第二栅极狭缝结构，所述第一栅极狭缝结构在所述第一方向连续延伸，所述第二栅极狭缝结构分段设置在相邻的所述第一栅极狭缝结构之间，每段所述第二栅极狭缝结构包括端部和延伸部；以及 存储沟道结构，穿过所述堆叠层，所述指状区域包括沿所述第一方向排列的多排所述存储沟道结构，所述第二栅极狭缝结构的延伸部与其相邻的一排所述存储沟道结构具有第一预设间距，所述第一栅极狭缝结构与其相邻的一排所述存储沟道结构具有第二预设间距，其中，所述第一预设间距大于所述第二预设间距。
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