格芯(美国)集成电路科技有限公司S·P·埃杜苏米利获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利具有包含腔结构的局部绝缘体上半导体区域的晶片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122006B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110973235.9，技术领域涉及：H10D86/00；该发明授权具有包含腔结构的局部绝缘体上半导体区域的晶片是由S·P·埃杜苏米利;A·K·斯塔珀;B·W·波特;J·J·埃利斯-莫纳甘设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有包含腔结构的局部绝缘体上半导体区域的晶片在说明书摘要公布了：本发明涉及具有包含腔结构的局部绝缘体上半导体区域的晶片。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有局部腔结构的晶片及制造方法。一种结构包括具有局部绝缘体上半导体SOI区域和体器件区域的体衬底，该局部SOI区域包括体衬底的衬底材料和多个腔结构。
本发明授权具有包含腔结构的局部绝缘体上半导体区域的晶片在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其包括体衬底，所述体衬底具有局部绝缘体上半导体SOI区域和体器件区域，所述局部SOI区域包括所述体衬底的衬底材料和多个腔结构，其中所述多个腔结构在所述局部SOI区域的不同器件区域中具有不同尺寸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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