中国电子科技集团公司第十一研究所何斌获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十一研究所申请的专利一种探测碲镉汞芯片PN结有效结深的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141645B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111351411.1，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种探测碲镉汞芯片PN结有效结深的方法是由何斌;刘世光;祁娇娇;戴永喜;杨刚设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种探测碲镉汞芯片PN结有效结深的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种探测碲镉汞芯片PN结有效结深的方法，属于半导体技术领域，包括：选取经过离子注入退火成结工艺形成并且已经钝化后的碲镉汞芯片；将碲镉汞芯片离子注入区分成多个区域，去除各区域内的钝化层及钝化层下方的部分离子注入区，形成按预设深度梯度排列的多个接触孔；在各接触孔上生长金属电极；测量不同腐蚀深度下各金属电极的电压电流曲线；当电压电流曲线由肖特基曲线转为线性时，判定对应的PN结结深为所述碲镉汞芯片的有效结深。本发明与碲镉汞原有的芯片制造工艺相同，可以应用于碲镉汞红外探测器的工艺生产过程中，实时监控离子注入后碲镉汞的有效结深。
本发明授权一种探测碲镉汞芯片PN结有效结深的方法在权利要求书中公布了：1.一种探测碲镉汞芯片PN结有效结深的方法，其特征在于，包括： 选取经过离子注入退火成结工艺形成并且已经钝化后的碲镉汞芯片，此时，碲镉汞芯片的PN结已形成； 将所述碲镉汞芯片离子注入区分成多个区域，去除各区域内钝化层及钝化层下方的部分离子注入区，形成按预设深度梯度排列的多个接触孔，以及一个基区的接触孔； 在各所述接触孔上生长金属电极； 测量不同腐蚀深度下各所述金属电极的电压电流曲线； 通过对比不同腐蚀深度的接触孔至基区的电压电流曲线，当电压电流曲线由肖特基曲线转为线性时，判定对应的PN结结深为所述碲镉汞芯片的有效结深； 所述碲镉汞芯片的离子注入方法包括： 采用光刻方法在所述碲镉汞芯片形成深度一致的离子注入区； 在所述离子注入区进行离子注入并退火。
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