西部数据技术公司A·巴扎尔斯基获国家专利权
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龙图腾网获悉西部数据技术公司申请的专利非易失性存储装置的读取积聚时间校准获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114155901B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110648101.X，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权非易失性存储装置的读取积聚时间校准是由A·巴扎尔斯基;D·罗兹曼;E·沙龙设计研发完成，并于2021-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储装置的读取积聚时间校准在说明书摘要公布了：通过校准积聚时间来校准读取参考电平。积聚时间是：在感测存储器单元的同时，允许感测节点上的电荷发生改变的时间长度。校准积聚时间比校准参考电压本身快得多。这部分地是由于减少了校准期间需要施加的不同参考电压的数量。对于给定的读取参考电压，校准积聚时间可以使用不同的测试积聚时间，从而减少读取参考电压的数量。因此，就时间而言，校准积聚时间非常有效。另外，可降低功率消耗。
本发明授权非易失性存储装置的读取积聚时间校准在权利要求书中公布了：1.一种装置，包括： 通信接口；和 控制电路，所述控制电路耦接到所述通信接口，其中所述控制电路被配置为连接到非易失性存储器单元，其中所述控制电路被配置为： 将一个或多个参考电压施加到一组非易失性存储器单元； 在将所述一个或多个参考电压施加到所述一组非易失性存储器单元的同时，对所述一组非易失性存储器单元进行多个不同积聚时间的感测，以生成感测结果； 针对所述感测结果的所述不同积聚时间中的每个积聚时间，确定所述组之中的每个存储器单元的信息位；以及 基于针对所述不同积聚时间中的每个积聚时间的所述组中的每个存储器单元的所述信息位来校准所述一个或多个参考电压中至少一个参考电压的积聚时间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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