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龙图腾网获悉罗伯特·博世有限公司申请的专利功率晶体管单元与功率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114175266B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080054755.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权功率晶体管单元与功率晶体管是由K·埃耶斯;A·马丁内斯-利米亚;J-H·阿尔斯迈尔;W·法伊勒;S·施魏格尔设计研发完成，并于2020-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率晶体管单元与功率晶体管在说明书摘要公布了：一种具有层布置101，201，301，401，501，601的功率晶体管单元100，200，300，400，500，600，该层布置具有前侧和后侧，其中，该前侧与该后侧相对置，其中，沟槽104，204，304，404，504，604自该前侧起并垂直于该前侧沿着第一方向105，205，305，405，505，605延伸至该层布置101，201，301，401，501，601中，并且该沟槽104，204，304，404，504，604至少到达电流扩散层106，206，306，406，506，606中，其中，该沟槽104，204，304，404，504，604沿着垂直于该第一方向105，205，305，405，505，605布置的第二方向107，207，307，407，507，607延展，并且场屏蔽区108，208，308，408，508，608至少局部地布置在该电流扩散层106，206，306，406，506，606中，其特征在于，源极区域109，209，309，409，509，609和场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611沿着该第二方向107，207，307，407，507，607交替地布置，其中，在每个源极区域109，209，309，409，509，609与每个场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611之间分别布置有体区110，210，310，410，510，610的一部分，其中，该场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611将该场屏蔽区108，208，308，408，508，608与该前侧102，202，302，402，502，602上的第一金属区112，212，312，412，512，612连接，并且该场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611至少局部地触碰该沟槽104，204，304，404，504，604的侧面。

本发明授权功率晶体管单元与功率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种功率晶体管单元100，200，300，400，500，600，其具有层布置101，201，301，401，501，601，所述层布置具有前侧和后侧，其中，所述前侧与所述后侧相对置，其中，沟槽104，204，304，404，504，604自所述前侧起沿着第一方向105，205，305，405，505，605延伸至所述层布置101，201，301，401，501，601中，并且所述沟槽104，204，304，404，504，604至少到达电流扩散层106，206，306，406，506，606中，其中，所述沟槽104，204，304，404，504，604沿着垂直于所述第一方向105，205，305，405，505，605布置的第二方向107，207，307，407，507，607延展，并且场屏蔽区108，208，308，408，508，608至少局部地布置在所述电流扩散层106，206，306，406，506，606中，其中，源极区域109，209，309，409，509，609和场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611沿着所述第二方向107，207，307，407，507，607交替地布置，其中，在每个源极区域109，209，309，409，509，609与每个场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611之间分别布置有体区110，210，310，410，510，610的一部分，其中，所述场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611将所述场屏蔽区108，208，308，408，508，608与所述前侧102，202，302，402，502，602上的第一金属区112，212，312，412，512，612连接，并且所述场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611至少局部地触碰所述沟槽104，204，304，404，504，604的侧面， 其特征在于， 所述电流扩散层106，206，306，406，506，606横向于所述场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611钟形地构型，或者， 所述电流扩散层106，206，306，406，506，606横向于所述场屏蔽接触区111，211，311，411，511，611矩形地构型。

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