格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司汤姆·何曼获国家专利权
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龙图腾网获悉格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司申请的专利电荷捕获侧壁间隔型非易失性存储装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188339B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110930121.6，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权电荷捕获侧壁间隔型非易失性存储装置和方法是由汤姆·何曼;谢文·R·索思;刘雷涛;阿尔班·阿卡设计研发完成，并于2021-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本电荷捕获侧壁间隔型非易失性存储装置和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电荷捕获侧壁间隔型非易失性存储装置和方法，具体而言涉及一半导体结构，包括电荷捕获侧壁间隔型非易失性存储CTSS‑NVM装置和形成结构的方法。CTSS‑NVM装置包括半导体基板中的沟道区域上方的栅极结构的相对侧壁上的非对称第一和第二侧壁间隔件。第二侧壁间隔件比第一侧壁间隔件宽，并包括多个介电间隔层，其中一个由电荷捕获材料制成，且与基板分离如通过薄氧化层，并具有最接近基板的底端，最大宽度足以实现电荷捕获以进行适当的CTSS‑NVM装置操作。CTSS‑NVM装置还包括邻接第一侧壁间隔件的半导体基板上的源漏区域的外延半导体层和邻接第二侧壁间隔件的半导体基板上的肖特基势垒的金属硅化物层。
本发明授权电荷捕获侧壁间隔型非易失性存储装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 半导体基板；以及 非易失性存储装置，包括： 沟道区域，其位于半导体基板中； 栅极结构，其位于该半导体基板上并与该沟道区域相邻； 非对称侧壁间隔件，其位于该半导体基板的顶面上方并与之紧邻，且横向紧邻该栅极结构的相对侧壁，并包括：具有第一宽度的第一侧壁间隔件；以及具有大于该第一宽度的第二宽度的第二侧壁间隔件，其中，该第二侧壁间隔件包括电荷捕获介电材料及最大宽度的底端； 半导体层，其位于该半导体基板的该顶面上方并与之紧邻，且横向紧邻该第一侧壁间隔件，使得该第一侧壁间隔件横向位于该栅极结构与该半导体层之间；以及 附加层，其与该半导体基板的该顶面紧邻、与该第二侧壁间隔件邻接，并包括金属。
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