三星电子株式会社全光宰获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242678B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110723356.8，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体封装件是由全光宰;朴正镐;李锡贤;尹礼重设计研发完成，并于2021-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件在说明书摘要公布了：公开了半导体封装件和制造该半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括第一再分布基板和位于所述第一再分布基板上的第一半导体器件。所述第一再分布基板包括：第一电介质层，所述第一电介质层包括第一孔；下凸块，所述下凸块包括位于所述第一孔中的第一凸块部分和从所述第一凸块部分突出到所述第一电介质层上的第二凸块部分；外部连接端子，所述外部连接端子位于所述第一电介质层的底表面上，并且通过所述第一孔连接到所述下凸块；润湿层，所述润湿层位于所述外部连接端子与所述下凸块之间；和第一阻挡晶种层，所述第一阻挡晶种层位于所述下凸块与所述第一电介质层之间以及所述下凸块与所述润湿层之间。
本发明授权半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括： 第一再分布基板；和 第一半导体器件，所述第一半导体器件位于所述第一再分布基板上， 其中，所述第一再分布基板包括： 第一电介质层，所述第一电介质层包括第一孔； 下凸块，所述下凸块包括位于所述第一孔中的第一凸块部分和从所述第一凸块部分突出到所述第一电介质层上的第二凸块部分； 外部连接端子，所述外部连接端子位于所述第一电介质层的底表面上，并且通过所述第一孔连接到所述下凸块； 润湿层，所述润湿层位于所述外部连接端子与所述下凸块之间； 第一阻挡晶种层，所述第一阻挡晶种层位于所述下凸块与所述第一电介质层之间以及所述下凸块与所述润湿层之间； 第二电介质层，所述第二电介质层覆盖所述第一电介质层和所述下凸块的所述第二凸块部分； 金属氧化物层，所述金属氧化物层位于所述第二凸块部分与所述第二电介质层之间；和 空隙区域，所述空隙区域位于所述第二凸块部分与所述金属氧化物层之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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