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龙图腾网获悉山西大学申请的专利一种基于晶圆级CMOS垂直堆叠的集成电路及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242721B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111486389.1，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种基于晶圆级CMOS垂直堆叠的集成电路及制备方法是由韩拯;陈茂林;张静设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于晶圆级CMOS垂直堆叠的集成电路及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于微电子领域，涉及二维材料集成电路，具体涉及一种基于晶圆级CMOS垂直堆叠的集成电路及制备方法。本发明提供了一种可实现多种逻辑功能和存储功能，且制备简单、高性能的基于晶圆级CMOS垂直堆叠的集成电路及其制备方法，具体在衬底上按照CMOS绝缘层CMOS绝缘层CMOS结构垂直堆叠而成，其堆叠层数大于两层；各层CMOS之间通过金属电极连接，以高介电常数材料作为介电层和绝缘层，以半导体性过渡金属硫族化合物单晶作为沟道材料，以金属性过渡金属硫族化合物作为沟道材料与金属电极之间的接触改善材料，以金属性材料作为栅极。

本发明授权一种基于晶圆级CMOS垂直堆叠的集成电路及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于晶圆级CMOS垂直堆叠的集成电路的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，按照预先设计好的逻辑电路模块，进行“自下而上”的逐层制备加工，每一层向下互联的同时，预留向上互联的接口，逐层向上外延式地制备加工，形成集成电路； 步骤2，制备高性能的晶圆级CMOS； 步骤3，按照衬底CMOS绝缘层CMOS绝缘层CMOS结构垂直堆叠形成叠层结构，即在晶圆级CMOS上沉积一层绝缘层，然后在绝缘层上制备晶圆级CMOS，从而得到垂直堆叠的多层CMOS，最后通过刻蚀孔洞并沉积金属材料，连接CMOS之间的栅极或者源、漏极，从而实现基于层间互联的大规模集成电路； 所述步骤2中制备高性能的晶圆级CMOS，具体步骤如下： 步骤2.1，在衬底上沉积金属薄膜； 步骤2.2，在400~600℃下，用硫族蒸汽对沉积在衬底上的金属薄膜进行处理，得到晶圆级金属性过渡金属硫族化合物薄膜； 步骤2.3，从块状过渡金属硫族化合物剥离少数层单晶材料，并将少数层单晶材料转移到晶圆级金属性过渡金属硫族化合物薄膜上方中心区域； 步骤2.4，在步骤2.3所得样品表面上沉积绝缘层，与环境中硫族原子隔离，然后在少数层单晶与金属性过渡金属硫族化合物薄膜堆叠的中心处刻蚀通道； 步骤2.5，将步骤2.4中样品在500~800℃下进行热处理，得到晶圆级半导体性过渡金属硫族化合物单晶薄膜，然后去除表面沉积的绝缘层； 步骤2.6，根据步骤1中预先设计好的逻辑电路模块，将晶圆级半导体性过渡金属硫族化合物单晶薄膜刻蚀成阵列结构，并在其两侧沉积金属性过渡金属硫族化合物作为接触改善材料，从而得到相变改善接触的结构； 步骤2.7，沉积金属外围电极与金属性过渡金属硫族化合物连接，再沉积介电层，最后沉积栅极材料，制备成晶圆级P型场效应管和晶圆级N型场效应管； 步骤2.8，结合选择性干法刻蚀和微纳加工工艺，按照设计好的逻辑电路在晶圆级P型场效应管和晶圆级N型场效应管之间沉积金属引线，连接源、漏极，或者连接栅极，从而制备出高性能晶圆级CMOS。

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