苏州华太电子技术有限公司莫海锋获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州华太电子技术有限公司申请的专利一种漏区延伸的MOS器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335158B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011047625.5，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种漏区延伸的MOS器件及其制造方法是由莫海锋;彭虎;岳丹诚设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种漏区延伸的MOS器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种漏区延伸的MOS器件及其制造方法。所述MOS器件包括衬底、外延层、栅极，外延层设置于衬底上且与衬底的导电类型相同，外延层内形成有阱区、沟道掺杂区域、漏区延伸区、漏区和源区；栅极，形成于外延层上；沟道掺杂区域位于栅极的下方，且沟道掺杂区域的导电类型与外延层的导电类型相反；阱区位于沟道掺杂区域的下方且与漏区延伸区相接触，且阱区的导电类型与外延层的导电类型相同；源区的导电类型与衬底的导电类型相反。本发明减少了加工的热过程，简化工艺，提高器件一致性，且抑制了器件的热载流子注入效应，提高了漏区延伸区的掺杂浓度，进一步降低器件的导通电阻，提高器件性能。
本发明授权一种漏区延伸的MOS器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种漏区延伸的MOS器件，其特征在于，包括： 衬底， 外延层，设置于所述衬底上且与衬底的导电类型相同，所述外延层内形成有阱区、沟道掺杂区域、漏区延伸区、漏区和源区； 栅极，形成于外延层上； 所述沟道掺杂区域位于栅极的下方，且所述沟道掺杂区域的导电类型与漏区延伸区、漏区和源区的导电类型相同，与外延层的导电类型相反，所述沟道掺杂区域的一部分位于所述漏区延伸区内； 所述阱区位于所述沟道掺杂区域的下方且与所述漏区延伸区相接触，且所述阱区的导电类型与外延层的导电类型相同； 所述源区的导电类型与衬底的导电类型相反，所述漏区延伸区、漏区和源区的导电类型相同； 所述MOS器件为双沟道器件结构，当栅极电压高于阈值电压时，所述MOS器件的沟道位于体内，远离硅表面，电流路径也远离硅表面；当阈值电压提升以后，所述MOS器件的沟道位于硅表面。
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