中国电子科技集团公司第十三研究所王元刚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利氧化镓二极管器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743873B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210470426.8，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权氧化镓二极管器件及其制备方法是由王元刚;吕元杰;敦少博;付兴昌;韩婷婷;刘宏宇;冯志红设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化镓二极管器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了氧化镓二极管器件及其制备方法，该方法包括：清洗氧化镓外延层，在外延层上方淀积介质层；在介质层的上方旋涂光刻胶，加热光刻胶，使光刻胶回流形成斜面；刻蚀光刻胶和介质层，去除光刻胶；以介质层为掩膜，刻蚀氧化镓外延层和介质层；在介质层平面的上方旋涂光刻胶；在氧化镓二极管器件的上方覆盖金属掩膜，去除光刻胶和介质层；溅射P‑NiO材料，形成P‑NiO层，剥离金属掩膜；电子束蒸发金属，得到阴极和阳极。本申请为氧化镓二极管器件的提供了一种新的制备方法。
本发明授权氧化镓二极管器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓二极管器件制备方法，其特征在于，包括： 在氧化镓外延层上表面淀积介质层； 在所述介质层上制备第一屏蔽层，所述第一屏蔽层的竖截面呈梯形； 刻蚀所述介质层和所述第一屏蔽层，露出所述氧化镓外延层，形成斜面角度小于或者等于10°的介质斜面，并去除所述第一屏蔽层； 以所述介质层为掩膜，刻蚀所述氧化镓外延层和所述介质层，形成斜面角度小于或者等于10°的氧化镓外延层斜面；其中，以介质层为掩膜，刻蚀氧化镓外延层时，保留部分氧化镓外延层的平面； 在所述氧化镓外延层上和所述介质层的斜面上制备金属掩膜层； 去除所述介质层，在所述氧化镓外延层和所述金属掩膜层上制备P-NiO层，并去除所述金属掩膜层； 在所述P-NiO层上表面平面制备第一电极，在所述氧化镓外延层下表面制备氧化镓衬底，在所述氧化镓衬底下表面制备第二电极。
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