安徽大学方明获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利基于亚网格和单步ADI-FDTD的电磁场仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114781220B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210453158.9，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权基于亚网格和单步ADI-FDTD的电磁场仿真方法是由方明;冯健;谢国大;徐珂;侯学师;刘晨冉;荣曼荻;黄志祥;吴先良设计研发完成，并于2022-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于亚网格和单步ADI-FDTD的电磁场仿真方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于亚网格和单步ADI‑FDTD的电磁场仿真方法，包括以下步骤：基于单步ADI‑FDTD、亚网格、FDTD，通过设置吸收边界条件、周期边界条件、总场边界条件、散射场边界条件，构建电磁场仿真模型，其中，电磁场仿真模型用于通过选取探测点和探测面，获取仿真区域的反射场和透射场的电场的时域波形图，以及仿真区域的频域信息，对电磁场进行仿真；相对于传统的FDTD算法，本发明提供的方法在仿真过程中可以节省39.28％的内存，并且可以节省98.01％的计算时间。
本发明授权基于亚网格和单步ADI-FDTD的电磁场仿真方法在权利要求书中公布了：1.基于亚网格和单步ADI-FDTD的电磁场仿真方法，其特征在于，包括以下步骤： 基于单步ADI-FDTD、亚网格、FDTD，通过设置吸收边界条件、周期边界条件、总场边界条件、散射场边界条件，构建电磁场仿真模型，其中，所述电磁场仿真模型用于通过选取探测点和探测面，获取仿真区域的反射场和透射场的电场的时域波形图，以及所述仿真区域的频域信息，对电磁场进行仿真； 在构建电磁场仿真模型的过程中，基于单步ADI-FDTD，获得完全电导体边界形式对应的第一系数矩阵和周期边界条件对应的第二系数矩阵； 基于所述仿真区域的微小结构和高介电常数，根据所述第一系数矩阵和所述第二系数矩阵，分别生成所述吸收边界条件、所述周期边界条件； 在构建电磁场仿真模型的过程中，通过设置所述总场边界条件和所述散射场边界条件，获取平面波源； 根据所述平面波源，选取所述探测点和所述探测面； 所述第一系数矩阵表示为： 所述第二系数矩阵表示为： 其中，
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