株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社彦坂年辉获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210097012.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法是由彦坂年辉;名古肇;田岛纯平;布上真也设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法，能够抑制翘曲。根据实施方式，氮化物半导体包括基体、氮化物部件以及设置于所述基体与所述氮化物部件之间的中间区域。所述氮化物部件包括：含有Alx1Ga1‑x1N的第1氮化物区域，其中，0x1≤1；以及含有Alx2Ga1‑x2N的第2氮化物区域，其中，0≤x21，x2x1。所述第1氮化物区域处于所述中间区域与所述第2氮化物区域之间。所述中间区域含有氮以及碳。所述中间区域中的碳的浓度是1.5×1019cm3以上且6×1020cm3以下。
本发明授权氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体，具备： 基体； 氮化物部件；以及 中间区域，设置于所述基体与所述氮化物部件之间， 所述氮化物部件包括： 第1氮化物区域，含有Alx1Ga1-x1N，其中，0x1≤1；以及 第2氮化物区域，含有Alx2Ga1-x2N，其中，0≤x21，x2x1， 所述第1氮化物区域处于所述中间区域与所述第2氮化物区域之间， 所述中间区域含有氮以及碳， 所述中间区域中的碳的浓度是1.5×1019cm3以上且6×1020cm3以下， 所述中间区域的至少一部分含有硅。
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