华邦电子股份有限公司金子二四三获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体存储装置及读出方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210916892.4，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权半导体存储装置及读出方法是由金子二四三;妹尾真言;葛西央伦设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置及读出方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体存储装置及读出方法，可实现错误检测、纠正的处理时间的高速化且达成小型化。本发明的闪存100具有NAND芯片200及ECC芯片300。NAND芯片200具有：存储器阵列；页缓冲感测电路，包含锁存器L1及锁存器L2；以及专用的输入输出端子220，可在与ECC芯片300之间进行数据传输。锁存器L1包含缓存器C0、C1，锁存器L2仅包含缓存器C1。锁存器L1的缓存器C0的数据及锁存器L2的缓存器C1的数据传输至ECC芯片300，响应从ECC芯片300输出开头地址的数据，而从存储器阵列读出下一页，读出的数据保持于锁存器L1。
本发明授权半导体存储装置及读出方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，包括： 与非芯片，包含与非型的存储器阵列、页缓冲感测电路及控制部件，所述页缓冲感测电路包含能够保持从存储器阵列读出的页数据的第一锁存器及第二锁存器，所述控制部件控制读出动作；以及 错误检测纠正芯片，包含错误检测及纠正功能， 所述第一锁存器包含：第一保持部分，保持页数据的第一数据部分；以及第二保持部分，保持第二数据部分， 所述第二锁存器较所述第一锁存器的数据尺寸更小，且保持从所述第一锁存器的第二保持部分传输的第二数据部分， 所述控制部件将保持于所述第一锁存器的第一保持部分的第一数据部分传输至所述错误检测纠正芯片后，将保持于所述第二锁存器的第二数据部分传输至所述错误检测纠正芯片， 所述错误检测纠正芯片进行所述第一数据部分及所述第二数据部分的错误检测及纠正， 所述控制部件响应所述错误检测纠正芯片将所述第一数据部分输出至外部的时机，而从所述存储器阵列读出下一页。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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