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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利垂直增强型β-Ga2O3 UMOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763524B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211470105.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权垂直增强型β-Ga2O3 UMOSFET器件及其制备方法是由马永健;唐文博;张晓东;张宝顺设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直增强型β-Ga2O3 UMOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直增强型β‑Ga2O3UMOSFET器件及其制备方法。所述垂直增强型β‑Ga2O3UMOSFET器件包括外延结构以及与所述外延结构配合设置的源极、漏极和栅极，所述外延结构包括叠层设置的氧化镓衬底、氧化镓漂移层、载流子耗尽区和高掺杂氧化镓外延层，所述载流子耗尽区内的电子被耗尽，槽状结构的槽底设置在所述氧化镓漂移层内，所述源极设置在所述高掺杂氧化镓外延层上并与所述高掺杂氧化镓外延层形成欧姆接触，所述漏极设置在所述氧化镓衬底上并与所述氧化镓衬底形成欧姆接触。本发明实施例提供的一种垂直增强型β‑Ga2O3UMOSFET器件的制备方法，可通过调控N离子等补偿受主材料的注入浓度控制阈值电压，从而可有效避免误开启的状况。

本发明授权垂直增强型β-Ga2O3 UMOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直增强型β-Ga2O3UMOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供β-Ga2O3漂移层，向所述β-Ga2O3漂移层的第一面所在一侧的表层区域内注入补偿受主材料并激活所述补偿受主材料，以将所述β-Ga2O3漂移层的表层区域内的电子耗尽而形成载流子耗尽区， 在所述载流子耗尽区上形成高掺杂β-Ga2O3外延层，所述高掺杂β-Ga2O3外延层的掺杂浓度高于所述β-Ga2O3漂移层； 制作槽状结构，且使所述槽状结构的槽口设置在所述高掺杂β-Ga2O3外延层表面、槽底设于所述β-Ga2O3漂移层内； 制作介质层，且使所述介质层连续覆盖在所述高掺杂β-Ga2O3外延层表面及所述槽状结构的槽壁上； 制作源极、漏极和栅极，至少所述栅极的局部区域连续覆设在所述槽状结构的槽壁上，且所述栅极与所述槽状结构的槽壁被介质层隔离；所述源极设置在高掺杂β-Ga2O3外延层上，并与所述高掺杂β-Ga2O3外延层形成欧姆接触；所述漏极与所述β-Ga2O3漂移层的第二面电性结合，所述第二面与所述第一面背对设置。

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