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龙图腾网获悉深圳尚阳通科技股份有限公司申请的专利SiC FinFET器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300410B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411325488.5，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权SiC FinFET器件及其制造方法是由王彬设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiC FinFET器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiCFinFET器件，包括：鳍体，在鳍体底部的第一SiC外延层中形成有至少两个第一屏蔽区。第一屏蔽区还延伸到鳍体两侧的栅极结构的底部并从而底部覆盖各栅极结构的栅介质层。相邻两个第一屏蔽区之间形成有第一电流扩展层并具有第一间距。在各第一屏蔽区顶部的鳍体中形成有第二屏蔽区。相邻两个第二屏蔽区之间具有大于第一间距的第二间距。相邻两个第二屏蔽区之间的鳍体中形成有第二电流扩展层、阱区和源区。本发明还公开了一种SiCFinFET器件的制造方法。本发明能采用鳍体来增加沟道载流子迁移率，同时还能对栅介质层进行很好的保护以及使器件具有较低的比导通电阻。

本发明授权SiC FinFET器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SiCFinFET器件，其特征在于，包括： 至少两个形成于第一SiC外延层中第一沟槽，位于两个相邻的所述第一沟槽之间的所述第一SiC外延层组成鳍体；所述鳍体的长度方向为第一方向，所述鳍体的宽度方向为第二方向； 在所述鳍体两侧的所述第一沟槽中分别形成有一个栅极结构，所述栅极结构包括形成于所述第一沟槽的内侧表面的栅介质层以及填充在所述第一沟槽中的栅极导电材料层； 在所述鳍体底部的所述第一SiC外延层中形成有至少两个第二导电类型掺杂的第一屏蔽区； 在所述第二方向，所述第一屏蔽区还延伸到所述鳍体两侧的所述栅极结构的底部并从而底部覆盖各所述栅极结构的所述栅介质层； 在所述第一方向上，相邻两个所述第一屏蔽区之间具有第一间距且相邻两个所述第一屏蔽区之间的所述第一SiC外延层中形成有第一导电类型掺杂的第一电流扩展层； 在各所述第一屏蔽区顶部的所述鳍体中形成有第二导电类型掺杂的第二屏蔽区，所述第二屏蔽区和底部的所述第一屏蔽区相接触； 在所述第一方向上，相邻两个所述第二屏蔽区之间具有第二间距，所述第二间距大于所述第一间距； 相邻两个所述第二屏蔽区之间的所述鳍体中形成有第一导电类型掺杂的第二电流扩展层、第二导电类型掺杂的阱区和第一导电类型重掺杂的源区； 所述第二电流扩展层的底部表面和所述第一电流扩展层相接触，所述阱区形成于所述第二电流扩展层的顶部区域中，所述源区形成于所述阱区的顶部区域中； 被所述栅极结构侧面覆盖的所述阱区表面用于形成导电沟道； 在所述第二屏蔽区的顶部区域中形成有第二导电类型重掺杂的第一引出区； 第一导电类型轻掺杂的漂移区由位于所述第一屏蔽区和所述第一电流扩展层底部的所述第一SiC外延层组成； 所述源区和所述第一引出区都连接到由正面金属层组成的源极。

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