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龙图腾网获悉西湖烟山科技(杭州)有限公司申请的专利微显示外延结构及其制备方法、微显示装置的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300575B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411814511.7，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权微显示外延结构及其制备方法、微显示装置的制备方法是由杨军;朱华泽;孔玮设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本微显示外延结构及其制备方法、微显示装置的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微显示外延结构及其制备方法、微显示装置的制备方法，微显示外延结构包括：衬底；掩膜调光层，位于衬底的一侧；掩膜调光层具有多个暴露衬底的掩膜开口；多个微显示单元，每一微显示单元对应位于一掩膜开口中；微显示单元包括至少两个依次远离衬底的发光单元以及位于相邻两个发光单元之间的隔离层；其中，掩膜调光层用于限定微显示单元的外延区域，以及用于调节发光单元射向掩膜调光层的光的传播方向，以减小从发光单元侧壁射出的光的传播方向与垂直于衬底的方向的夹角。本发明提供的技术方案，实现了对全彩化的微显示外延结构的选区外延，以及对微显示单元的横向光的提取，提高了微显示装置的光提取效率。

本发明授权微显示外延结构及其制备方法、微显示装置的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微显示外延结构，其特征在于，包括： 衬底； 掩膜调光层，位于所述衬底的一侧；所述掩膜调光层具有多个暴露所述衬底的掩膜开口； 多个微显示单元，每一所述微显示单元对应位于一所述掩膜开口中；所述微显示单元包括至少两个依次远离所述衬底的发光单元以及位于相邻两个发光单元之间的隔离层；位于相邻两个所述微显示单元之间的掩膜调光层为球形或椭球形的透光层； 其中，所述掩膜调光层用于限定所述微显示单元的外延区域，以及用于调节所述发光单元射向所述掩膜调光层的光的传播方向，以减小从所述发光单元侧壁射出的光的传播方向与垂直于所述衬底的方向的夹角，提高所述微显示单元横向出光的光提取效率； 所述隔离层包括依次远离所述衬底的隧穿结、第三半导体层和第四半导体层；所述隧穿结包括层叠设置的P型重掺杂半导体层以及N型重掺杂半导体层；所述隧穿结用于增强电流注入和电流扩散；所述第三半导体层和第四半导体层用于形成反向偏置，电隔离相邻的两个发光单元。

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