江阴圣邦微电子制造有限公司谭磊获国家专利权
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龙图腾网获悉江阴圣邦微电子制造有限公司申请的专利芯片封装结构的制备方法和芯片封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119340218B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411406308.6，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权芯片封装结构的制备方法和芯片封装结构是由谭磊;沐燕斌设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构的制备方法和芯片封装结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供的芯片封装结构的制备方法和芯片封装结构，包括：依次层叠设置的第一芯片、第二保护层、第二芯片和第三保护层，以及第一导电连接结构、第二导电连接结构和聚酰亚胺层；第二保护层位于第一芯片靠近第二芯片一侧，第三保护层位于第二芯片远离第一芯片一侧，聚酰亚胺层形成在第一芯片的侧壁；第一导电连接结构设置在第一开口内，第二芯片通过第一导电连接结构与第一芯片电连接，第二导电连接结构设置在第二开口处，第三保护层裸露出部分第二导电连接结构，第一芯片通过第二导电连接结构输出或接收电信号。制备形成的芯片封装结构的整体体积较小，集成度更高。
本发明授权芯片封装结构的制备方法和芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括： 在具有多个第一芯片的晶圆上制备形成第二保护层，其中，所述第二保护层包括第一开口和第二开口； 在所述第二保护层的第一开口内形成第一导电连接结构后，通过所述第一导电连接结构将第二芯片与所述晶圆上的第一芯片倒装连接； 在所述第二保护层的第二开口位置处形成第二导电连接结构； 在所述第二导电连接结构和所述第二芯片远离所述第二保护层一侧形成第三保护层； 从所述晶圆远离所述第二保护层的一侧，在相邻两个第一芯片之间的位置处，切割所述晶圆形成切割道，并对所述切割道喷涂聚酰亚胺，在所述切割道的表面形成聚酰亚胺层； 对所述第三保护层进行处理，使得所述第二导电连接结构的部分裸露在所述第三保护层的外部； 对所述切割道的位置进行再次切割，得到多个相分离的芯片封装结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江阴圣邦微电子制造有限公司，其通讯地址为：214437 江苏省无锡市江阴市长山大道18号M幢2018；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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