上海积塔半导体有限公司杨晨获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体测试结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361581B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411546958.0，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体测试结构的制备方法是由杨晨;张蔷;伏星;仇峰设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体测试结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体测试结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底顶面形成沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸的多个掩膜条；至少以多个掩膜条为掩膜版，向初始测试区执行能量相同且剂量不同的离子注入工艺，得到包括两个掺杂区的目标测试结构；根据多个目标测试结构的注入离子剂量、扩散宽度及击穿电压，确定不同目标测试结构的注入离子剂量、扩散宽度及击穿电压之间的第一目标测试关联关系，根据待测目标测试结的实际注入剂量、实际击穿电压，确定待测目标测试结的实际扩散宽度。基于现有工艺流程，无需额外光罩。通过简单有效的目标测试结构，得到监测离子注入实际扩散宽度的目标测试关联关系，进而反映不同剂量条件下注入对器件性能的影响。
本发明授权半导体测试结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底顶面形成沿第一方向间隔分布且沿第二方向延伸的多个掩膜条；相邻两个掩膜条之间的衬底用于构成初始测试区；相邻两个初始测试区用于构成初始测试结构；相邻所述初始测试结构沿所述第一方向间隔分布；所述第一方向、所述第二方向相交且均平行于所述衬底的顶面； 至少以所述多个掩膜条为掩膜版，向所述初始测试区执行离子注入工艺，得到包括两个掺杂区的目标测试结构，其中，不同所述目标测试结构的注入离子能量相同且剂量不同； 根据所述多个目标测试结构的注入离子剂量、扩散宽度及击穿电压，确定不同目标测试结构的注入离子剂量、扩散宽度及击穿电压之间的第一目标测试关联关系；所述第一目标测试关联关系用于根据待测目标测试结的实际注入离子剂量、实际击穿电压，确定所述待测目标测试结的实测扩散宽度。
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