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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管、制备方法及LED设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364949B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411500606.1，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种发光二极管、制备方法及LED设备是由汪恒青;王雪峰;张星星;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管、制备方法及LED设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种发光二极管、制备方法及LED设备，发光二极管包括衬底及外延结构，外延结构包括N型半导体层及P型台，P型台包括多量子阱层及P型半导体层，N型半导体层设置第一电流阻挡部，P型半导体层设置第二电流阻挡部、第三电流阻挡部及透明导电部，第一电流阻挡部上设置若干个第一粘附金属部，第二电流阻挡部及第三电流阻挡部之间设置若干个第二粘附金属部，若干个第一粘附金属部上设置第一反射金属部，若干个第二粘附金属部上设置第二反射金属部。通过设置第一粘附金属部、第二粘附金属部、第一反射金属部及第二反射金属部，使金属结构具有粘附力的同时，增强对光的反射效果。

本发明授权一种发光二极管、制备方法及LED设备在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括自下而上设置的衬底及初始外延结构，所述初始外延结构包括自下而上设置的N型半导体层及P型台，所述P型台于水平面上的投影面积小于所述N型半导体层于水平面上的投影面积，所述P型台包括自下而上设置的多量子阱层及P型半导体层，所述N型半导体层朝向所述P型台的一面设置第一电流阻挡部，所述P型半导体层背向所述多量子阱层的一面设置第二电流阻挡部、第三电流阻挡部及透明导电部，所述透明导电部连接所述第二电流阻挡部，所述第一电流阻挡部上设置若干个第一粘附金属部，所述第二电流阻挡部包括阻挡环，所述阻挡环围合形成放置区域，所述第三电流阻挡部位于所述放置区域内，所述放置区域内设置若干个第二粘附金属部，若干个所述第二粘附金属部位于所述阻挡环与所述第三电流阻挡部之间，若干个所述第一粘附金属部上设置同一第一反射金属部，若干个所述第二粘附金属部上设置同一第二反射金属部，所述第二反射金属部连接所述透明导电部，以形成最终外延结构，所述最终外延结构背向所述衬底的一侧设置保护层。

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