有研国晶辉新材料有限公司林泉获国家专利权
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龙图腾网获悉有研国晶辉新材料有限公司申请的专利一种大直径红外硅单晶及其退火方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119433720B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411636546.6，技术领域涉及：C30B33/02；该发明授权一种大直径红外硅单晶及其退火方法和应用是由林泉;曹波;路淑娟;张路;马远飞;王宇;于洪国;刘志远;南亚新设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大直径红外硅单晶及其退火方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及红外光学材料制备技术领域，具体公开了一种大直径红外硅单晶及其退火方法和应用。本发明在保护气体气氛下，通过控制不同退火阶段的温度、升温速率和降温速率等参数，提供了一种大直径红外硅单晶的退火方法，该退火方法既可以使单晶硅棒受热均匀，又不会增加氧施主浓度，还可有效降低单晶硅棒内部应力和晶格缺陷。本发明制得的红外硅单晶具有优异的光学透过率和光学均匀性，在2μm~6μm范围内的平均红外透过率≥52.4%，光学均匀性≤7.5×10‑5。本发明制备的大直径红外硅单晶可适用于大口径红外遥感探测镜头或红外光学窗口的制备及其相关领域。
本发明授权一种大直径红外硅单晶及其退火方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种大直径红外硅单晶的退火方法，其特征在于，所述退火方法包括以下步骤： 保护气体气氛下，将大直径单晶硅棒以第一预设速率升温至T1并保温第一预设时间，然后以第二预设速率降温至T2，以第三预设速率降温至T3，后于第四预设速率降温至T4，冷却，得大直径红外硅单晶； 其中，所述T1为660℃~700℃； 所述T2为500℃~520℃； 所述T3为390℃~410℃； 所述T4为160℃~200℃； 所述第一预设速率为6℃min~12℃min； 所述第二预设速率为3℃min~6℃min； 所述第三预设速率为8℃min~10℃min； 所述第四预设速率为1℃min~2℃min。
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