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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片制备方法、发光二极管外延片及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486386B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411650551.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权发光二极管外延片制备方法、发光二极管外延片及设备是由汪恒青;王雪峰;张星星;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管外延片制备方法、发光二极管外延片及设备在说明书摘要公布了：本发明提供发光二极管外延片制备方法、发光二极管外延片及设备，发光二极管制备方法包括如下步骤：于衬底上依次沉积氮化铝缓冲层及氮化铝镓层；于氮化铝镓层上沉积第一异质层；蚀刻部分衬底复合层；依次沉积第二异质层及第三异质层；依次沉积氮化镓层、N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层；剥离衬底，以形成复合外延片，采用氢氧化钠溶液腐蚀部分所述复合外延片，以形成发光二极管外延片。通过蚀刻衬底复合层，得到图形化的初始复合衬底，生长出来的外延片具有外量子效率较高的优势；通过设置第二异质层及第三异质层，剥离衬底时，避免对外延结构的损伤，通过腐蚀得到图形化外延结构的方法较简单，并可获得更高质量的图形化外延结构。

本发明授权发光二极管外延片制备方法、发光二极管外延片及设备在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一衬底，于所述衬底上依次沉积氮化铝缓冲层及氮化铝镓层； 于所述氮化铝镓层上沉积第一异质层，所述氮化铝缓冲层、所述氮化铝镓层及所述第一异质层组合形成衬底复合层，所述第一异质层的厚度范围为5000Å~20000Å； 蚀刻部分所述衬底复合层，直至暴露所述衬底，蚀刻后的所述衬底复合层形成若干个衬底复合部，所述衬底复合部包括蚀刻后的所述第一异质层形成的若干个第一异质部，若干个所述衬底复合部及所述衬底组合形成初始复合衬底； 于所述初始复合衬底上依次沉积第二异质层及第三异质层，以形成最终复合衬底，所述第二异质层的材质为氮化铝，所述第二异质层的厚度范围为10Å~50Å，所述第三异质层的材质为氮化铝镓，所述第三异质层的厚度与所述氮化铝镓层的厚度相等； 于所述最终复合衬底上依次沉积氮化镓层、N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层，以形成外延结构，所述氮化镓层的顶面高度低于所述第一异质部的顶部高度； 剥离所述衬底，以形成复合外延片，采用氢氧化钠溶液对所述复合外延片背向所述P型氮化镓层的一端进行腐蚀，所述第二异质层、所述第三异质层及所述氮化铝镓层与所述外延结构中的所述氮化镓层在所述氢氧化钠溶液中的腐蚀速度不同，腐蚀至所述氮化镓层时截止，以形成发光二极管外延片。

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