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龙图腾网获悉珠海普林芯驰科技有限公司申请的专利采用低压器件实现耐高压的D类功放电路及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119543850B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411617515.6，技术领域涉及：H03F1/52；该发明授权采用低压器件实现耐高压的D类功放电路及控制方法是由梁明兰;陈绪坤设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本采用低压器件实现耐高压的D类功放电路及控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种采用低压器件实现耐高压的D类功放电路及控制方法，该D类功放电路包括MOS管模块、非交叠控制模块、偏置电压产生模块、偏置电压缓冲模块、PMOS驱动控制模块和NMOS驱动控制模块；非交叠控制模块输出非交叠控制P信号和非交叠控制N信号；偏置电压产生模块用于产生PMOS功率管输出的偏置信号；偏置电压缓冲模块连接第二PMOS管的栅极，偏置电压缓冲模块用于将偏置信号电压转换为驱动电压信号，以控制第二PMOS管的栅极，并给PMOS驱动控制模块提供驱动控制信号；PMOS驱动控制模块用于对第一PMOS管进行栅极控制；NMOS驱动控制模块用于对第一NMOS管进行栅极控制。能够采用低压器件实现耐高压的D类功放，减少电路损坏风险，降低芯片制造成本。

本发明授权采用低压器件实现耐高压的D类功放电路及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种采用低压器件实现耐高压的D类功放电路，其特征在于，包括： MOS管模块，所述MOS管模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一PMOS管的源极连接VCC5电源，所述第一PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的源极，所述第二PMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极连接到地，所述第一NMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的源极； 非交叠控制模块，所述非交叠控制模块的输入为PA_DIN信号，所述PA_DIN信号是经过PWM调制好的数字信号，所述非交叠控制模块对所述PA_DIN信号进行延时处理并输出非交叠控制P信号和非交叠控制N信号； 偏置电压产生模块，所述偏置电压产生模块用于产生偏置信号，以避免所述MOS管模块出现栅源及栅漏大于额定电压情况； PMOS驱动控制模块，所述PMOS驱动控制模块的输入为非交叠控制P信号，所述PMOS驱动控制模块连接所述第一PMOS管的栅极，所述PMOS驱动控制模块用于对所述第一PMOS管进行栅极控制； 偏置电压缓冲模块，所述偏置电压缓冲模块连接所述第二PMOS管的栅极，所述偏置电压缓冲模块用于将所述偏置信号转换为驱动电压信号，以控制所述第二PMOS管的栅极，并给所述PMOS驱动控制模块提供驱动控制信号； NMOS驱动控制模块，所述NMOS驱动控制模块的输入为非交叠控制N信号，所述NMOS驱动控制模块连接所述第一NMOS管的栅极，所述NMOS驱动控制模块用于对所述第一NMOS管进行栅极控制。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海普林芯驰科技有限公司，其通讯地址为：519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇大学路101号清华科技园二期3栋403单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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