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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种在透射电子显微镜中快速实现晶体学取向成像的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119643597B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411635050.7，技术领域涉及：G01N23/02；该发明授权一种在透射电子显微镜中快速实现晶体学取向成像的方法是由朱万全;蔡炜;黄潇冰;黄天林;黄晓旭设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在透射电子显微镜中快速实现晶体学取向成像的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在透射电子显微镜中快速实现晶体学取向成像的方法，上述方法包括以下步骤：通过透射电镜采集3～5个样品倾角下前8～10个衍射环的圆锥扫描暗场像；对不同样品倾角下的暗场像进行漂移矫正后对所有暗场像二值化；搭建入射电子束圆锥扫描模型，模拟不同样品倾角下任意取向的电子衍射花样，构建电子衍射花样数据库；重构同一个样品倾角下暗场像中每个像素的衍射花样并对所有的像素的取向进行标定；结合多个样品倾角的数据完成所有像素的取向标定。本发明基于透射电镜圆锥扫描暗场成像技术和晶体学取向标定算法实现了晶粒取向的快速表征，适用于透射电镜下晶体材料的晶体学取向表征。

本发明授权一种在透射电子显微镜中快速实现晶体学取向成像的方法在权利要求书中公布了：1.一种在透射电子显微镜中快速实现晶体学取向成像的方法，其特征在于，包括以下步骤： 通过透射电镜采集3~5个样品倾角下前8~10个衍射环的圆锥扫描暗场像； 对不同样品倾角下的暗场像进行漂移矫正后对所有暗场像二值化； 搭建入射电子束圆锥扫描模型，模拟不同样品倾角下任意取向的电子衍射花样，构建电子衍射花样数据库； 重构同一个样品倾角下暗场像中每个像素的衍射花样并对所有有信号的像素的取向进行标定； 结合样品倾角的数据完成所有像素的取向标定； 参照入射电子束圆锥扫描、倒易空间和Ewald球的原理模拟任意取向的衍射花样并记录衍射斑的位置； 重构暗场像中每个像素的衍射花样包括：提取同一个样品倾角的所有图像中同一个像素点的强度作为晶体学取向标定的依据；对同一个样品倾角下的所有像素的取向进行标定包括：使用模板匹配的方法计算衍射花样与数据库中每个衍射花样的相关系数，并认为相关系数最高的衍射花样所对应的取向是该像素对应的取向； 结合样品倾角的数据完成所有像素的取向标定包括：先对第一个样品倾角的数据进行标定，保留满足条件的标定结果，没有信号或者无法精确确定取向的像素将参与第二个样品倾角的标定；第二个样品倾角的标定：对于有信号却不满足条件的像素，以第一个样品倾角标定时筛选出来的相关系数比较高的取向作为第二个样品倾角标定的数据库，并且保留满足条件的标定结果，没有信号或者无法精确确定取向的像素将参与第三个样品倾角的标定；重复以上过程，完成第三个样品倾角的标定； 或者，将不同样品倾角下的数据耦合成一个整体，并且使用耦合后的数据作为标定取向的依据与模拟的数据库进行匹配，并认为相关系数最高的模板对应的取向为标定结果。

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