中国科学院大连化学物理研究所田文明获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种测量氮化镓晶体表面内建电场强度的光谱学方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119643985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411721418.1，技术领域涉及：G01R29/12；该发明授权一种测量氮化镓晶体表面内建电场强度的光谱学方法是由田文明;赵胜利;冷静设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种测量氮化镓晶体表面内建电场强度的光谱学方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种测量氮化镓晶体表面内建电场强度的光谱学方法。利用飞秒瞬态反射光谱技术，研究了氮化镓晶体表面内建电场中载流子动力学过程，实现了其表面内建电场强度的测量，包括以下步骤：搭建泵浦‑探测瞬态反射光路，测试氮化镓外延表面的瞬态反射光谱，通过改变不同的激发波长测试不同初始载流子分布下的表面内建电场强度变化随时间的演化过程，通过拟合载流子扩散‑漂移耦合模型得到氮化镓表面内建电场的耗尽层厚度，计算得到内建电场的强度。本发明作为一种超快时间分辨的泵浦‑探测光谱技术，适合用于研究重掺杂氮化镓表面载流子动力学过程，为优化GaN基光电器件的性能提供理论指导。
本发明授权一种测量氮化镓晶体表面内建电场强度的光谱学方法在权利要求书中公布了：1.一种测量氮化镓晶体表面内建电场强度的光谱学方法，其特征在于，包括以下步骤： 通过激光器采用单光子激发或双光子激发将电子激发到导带，价带留下空穴；白光作为探测光，以实时检测激发态载流子的变化； 调节探测光在氮化镓薄膜样品上的入射角度，光参量放大器发出的泵浦光在氮化镓薄膜样品的正面入射； 收集氮化镓薄膜样品表面反射的探测光，测试瞬态吸收光谱； 根据光谱信息，获取ΔRR数据；其中，R表示有泵浦光激发的探测光反射率，ΔR表示有泵浦光激发的探测光反射率与无泵浦光激发的探测光反射率的差值； 根据ΔRR数据，通过拟合得到耗尽层宽度；根据耗尽层宽度得到内建电场强度。
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