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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司申请的专利一种LDO电路、芯片和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119645184B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411664011.X，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种LDO电路、芯片和电子设备是由潘杰;原义栋;胡毅;沈红伟;温立国设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LDO电路、芯片和电子设备在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种LDO电路、芯片和电子设备，属于模拟芯片技术领域。所述LDO电路包括：输入电路，接入参考电流，并至少通过主晶体管来对应输出参考电压；放大电路，其接入参考电压并进行放大；以及反馈电路，一端经晶体管对管连接所述放大电路的输出端，另一端向所述放大电路反馈电压并作为所述LDO电路的输出端。其中，所述主晶体管和所述晶体管对管均工作在亚阈值区，且所述放大电路的放大倍数被配置为使得流过所述主晶体管和所述晶体管对管的电流相等。本发明实施例的LDO电路利用处于亚阈值区的晶体管，并配合放大电路的放大倍数，产生了可供LDO电路确定输出的电压，不需要基准电路，电路简单且功耗低。

本发明授权一种LDO电路、芯片和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种低压差线性稳定器LDO电路，其特征在于，包括： 输入电路100，包括主晶体管，所述输入电路100接入参考电流，并至少通过所述主晶体管来对应输出参考电压； 放大电路200，其接入所述参考电压并进行放大；以及 反馈电路300，包括晶体管对管，所述反馈电路300一端经所述晶体管对管连接所述放大电路200的输出端，另一端向所述放大电路200反馈电压并作为所述LDO电路的输出端； 其中，所述主晶体管和所述晶体管对管均工作在亚阈值区，且所述放大电路200的放大倍数被配置为使得流过所述主晶体管和所述晶体管对管的电流相等； 其中，所述输入电路包括： 第十二晶体管M12，其漏极与栅极相连并接入第一路偏置电流BIAS1； 作为所述主晶体管的第十一晶体管M11，其漏极与栅极相连并连接所述第十二晶体管M12的源极；以及 第十晶体管M10，其漏极与栅极相连并接入第二路偏置电流BIAS2，其源极连接所述第十一晶体管M11的源极并接地，其中所述第十二晶体管M12和所述第十晶体管M10各自的栅极分别输出一路参考电压； 其中，所述放大电路200包括： 共栅的第八晶体管M8和第九晶体管M9，且两者的源极均接地，栅极则接入一路参考电压； 共栅的第四晶体管M4和第七晶体管M7，且两者的栅极接入另一路参考电压，其中所述第四晶体管M4的源极连接所述第八晶体管M8的漏极并作为所述放大电路200的输出端，而所述第七晶体管M7的源极连接所述第九晶体管M9的漏极； 其中，所述反馈电路300包括： 形成所述晶体管对的第二晶体管M2和第三晶体管M3，其中所述第二晶体管M2和第三晶体管M3各自的漏极和栅极相连后互相连接，所述第二晶体管M2的源极作为所述LDO电路的输出端，所述第三晶体管M3的源极连接所述放大电路的输出端；以及 第一晶体管M1，其漏极连接所述第二晶体管M2的源极，源极接入工作电压，栅极连接所述放大电路以反馈电压。

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