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龙图腾网获悉黑龙江汇芯半导体有限公司申请的专利过压保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119765238B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411971806.5，技术领域涉及：H02H9/04；该发明授权过压保护电路是由冯宇翔;周晓设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本过压保护电路在说明书摘要公布了：本发明涉及电路技术领域，尤其涉及一种过压保护电路，包括采样模块、基准模块、比较模块、启动模块、泄放模块和负载模块，所述采样模块、所述基准模块、所述比较模块、所述启动模块、所述泄放模块和所述负载模块各自的两端分别连接VCC电源电压和接地。本发明的过压保护电路的电路结构中不需要使用稳压管，提高了电路的兼容性，使用范围较大，并且该过压保护电路基于MOS管输出基准电压，不受外部电源电压影响，使得基准电压稳定，抗噪声能力强，在判断电压过大时能够快速响应并泄放电压，保证了过压保护功能的稳定性和可靠性。

本发明授权过压保护电路在权利要求书中公布了：1.一种过压保护电路，其特征在于，包括采样模块、基准模块、比较模块、启动模块、泄放模块和负载模块，所述采样模块、所述基准模块、所述比较模块、所述启动模块、所述泄放模块和所述负载模块各自的两端分别连接VCC电源电压和接地，其中： 所述采样模块用于获取采样电压Va，并将所述采样电压Va发送至所述比较模块，所述采样电压Va与所述VCC电源电压的电压正相关； 所述基准模块包括所述基准模块用于向所述比较模块输出基准电压Vd； 所述比较模块用于比较所述采样电压Va与所述基准电压Vd之间的差值，并通过输出比较电压Ve； 所述启动模块用于接入所述基准电压Vd，并将输出反馈至所述基准模块； 所述泄放模块用于根据缓冲电压Vb与所述比较电压Ve进行比较判断，并在所述比较电压Ve为高电平、所述缓冲电压Vb为低电平时，将所述VCC电源电压的电压通过接地端进行泄放； 其中，所述采样模块包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1的第一端连接所述VCC电源电压，所述电阻R1的第二端连接所述电阻R2的第一端，所述电阻R2的第二端接地，所述采样电压Va为所述电阻R1的第二端的电压，所述采样电压，其中，R1表示所述电阻R1的阻值，R2表示所述电阻R2的阻值，VCC表示所述VCC电源电压的电压值； 所述基准模块包括MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8和电阻R3，其中，所述MOS管M5和所述MOS管M6为长宽相同的NMOS管，所述MOS管M7和所述MOS管M8为长宽相同的PMOS管； 所述MOS管M5的漏极连接所述MOS管M7的漏极，所述MOS管M5的栅极同时连接所述MOS管M7的漏极和所述MOS管M6的栅极，所述MOS管M5的源极接地； 所述MOS管M6的漏极同时连接所述MOS管M8的漏极和所述MOS管M8的栅极，所述MOS管M6的源极连接所述电阻R3的第一端； 所述电阻R3的第二端接地； 所述MOS管M7的源极连接所述VCC电源电压，所述MOS管M7的栅极连接所述MOS管M8的栅极； 所述MOS管M8的源极连接所述VCC电源电压； 所述基准电压Vd为所述MOS管M6的漏极的电压，所述基准电压，其中，ro6表示MOS管M6的等效内阻，R3表示所述电阻R3的阻值，unCoxWL中，、分别表示MOS管M6的电子迁移率和单位面积栅氧化层电容，W、L分别为MOS管M6的沟道宽度和长度； 所述比较模块包括MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12和MOS管M13，其中，所述MOS管M10和所述MOS管M11为NMOS管，所述MOS管M12和所述MOS管M13为PMOS管； 所述MOS管M10的栅极连接所述MOS管M6的漏极，以接入所述基准电压Vd，所述MOS管M10的源极接地，所述MOS管M10的漏极同时连接所述MOS管M12的漏极和所述MOS管M12的栅极； 所述MOS管M11的栅极连接所述电阻R1的第二端，以接入所述采样电压Va，所述MOS管M11的源极接地，所述MOS管M11的漏极连接所述MOS管M13的漏极； 所述MOS管M12的栅极连接所述MOS管M13的栅极，所述MOS管M12的源极连接所述VCC电源电压； 所述MOS管M13的源极连接所述VCC电源电压； 所述比较电压Ve为所述MOS管M11的漏极的电压，所述比较电压，其中，gm11表示MOS管M11的跨导,ro11表示MOS管M11的等效内阻,ro13表示MOS管M13的等效内阻； 所述启动模块包括MOS管M4、MOS管M2和MOS管M3，其中，所述MOS管M4为PMOS管，所述MOS管M2和所述MOS管M3为NMOS管； 所述MOS管M4的源极连接所述VCC电源电压，所述MOS管M4的漏极同时连接所述MOS管M2的漏极和栅极，所述MOS管M4的栅极接入所述基准电压Vd； 所述MOS管M2的源极接地，所述MOS管M2的栅极连接所述MOS管M3的栅极； 所述MOS管M3的源极接地，所述MOS管M3的漏极同时连接所述MOS管M8的栅极和漏极； 所述泄放模块包括MOS管M9、MOS管M14、MOS管M15、MOS管M16和MOS管M1，其中，所述MOS管M9、所述MOS管M14、所述MOS管M15为NMOS管，所述MOS管M16、所述MOS管M1为PMOS管； 所述MOS管M9的源极和漏极均接地，所述MOS管M9的栅极连接所述MOS管M11的漏极，以接入所述比较电压Ve； 所述MOS管M14的源极接地，所述MOS管M14的栅极和漏极均连接所述MOS管M15的源极； 所述MOS管M15的栅极连接所述MOS管M11的漏极，以接入所述比较电压Ve，所述MOS管M15的漏极同时连接所述MOS管M16的漏极和栅极； 所述MOS管M16的源极连接所述VCC电源电压； 所述MOS管M1的栅极连接所述MOS管M15的漏极，所述MOS管M1的漏极接地，所述MOS管M1的源极连接所述VCC电源电压； 所述缓冲电压Vb为所述MOS管M15的漏极的电压。

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