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龙图腾网获悉哈尔滨理工大学申请的专利一种光纤磁流体磁化强度测量装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119780806B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510199132.X，技术领域涉及：G01R33/12；该发明授权一种光纤磁流体磁化强度测量装置及方法是由潘锐;李立新;杨文龙;王宇设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光纤磁流体磁化强度测量装置及方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种光纤磁流体磁化强度测量装置及方法，涉及光纤传感技术领域。所述装置包括：宽带光源、光纤环形器、传感头、磁场调控装置和光谱分析仪；其中，传感头包括第一单模光纤、空芯光纤、UV胶膜、第二单模光纤和石英管。宽带光源发射探测光信号；光纤环形器将探测光信号传输至传感头的第一单模光纤；磁场调控装置向传感头施加定向磁场；传感头根据探测光信号和定向磁场，确定待测磁流体的干涉光谱；干涉光谱是基于法布里‑珀罗干涉仪进行反射的反射光信号确定的；光谱分析仪接收并解调干涉光谱，得到待测磁流体的磁化强度。本申请可实现磁流体磁化强度的精准测量。

本发明授权一种光纤磁流体磁化强度测量装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种光纤磁流体磁化强度测量装置，其特征在于，所述光纤磁流体磁化强度测量装置包括：宽带光源、光纤环形器、传感头、磁场调控装置和光谱分析仪；其中，所述传感头包括第一单模光纤、空芯光纤、UV胶膜、第二单模光纤和石英管； 所述宽带光源、所述传感头和所述光谱分析仪均与所述光纤环形器连接；所述传感头设置在所述磁场调控装置的N极和S极之间； 所述第一单模光纤与所述空芯光纤熔接；所述空芯光纤的末端设置有所述UV胶膜；所述第一单模光纤与所述空芯光纤的熔接面为第一反射面；所述空芯光纤中的空气与所述UV胶膜的临界面为第二反射面；所述第一反射面与所述第二反射面构成法布里-珀罗干涉仪；所述法布里-珀罗干涉仪与所述第二单模光纤间隔放置于所述石英管内部，且所述石英管在所述间隔处设有开孔； 所述宽带光源用于发射探测光信号； 所述光纤环形器用于将所述探测光信号传输至所述传感头的第一单模光纤； 所述磁场调控装置用于向所述传感头施加定向磁场； 所述传感头用于根据所述探测光信号和所述定向磁场，确定待测磁流体的干涉光谱；所述待测磁流体经所述开孔进入所述石英管；所述干涉光谱是基于所述法布里-珀罗干涉仪进行反射的反射光信号确定的； 所述光纤环形器还用于将所述干涉光谱传输至所述光谱分析仪； 所述光谱分析仪用于接收并解调所述干涉光谱，得到待测磁流体的磁化强度； 对所述干涉光谱进行解调，得到待测磁流体的磁化强度，具体包括： 根据所述定向磁场，确定所述待测磁流体在所述定向磁场作用下进行定向延伸，产生的施加于UV胶膜的力；施加于UV胶膜的力的表达式为： P＝μ0HLMFc·m； 根据施加于UV胶膜的力，确定UV胶膜发生形变产生的形变量，得到法布里-珀罗干涉仪的腔长改变量；腔长改变量的表达式为： 其中，P为施加于UV胶膜的力；μ0为真空磁导率；H为定向磁场的强度；LMF为UV胶膜与第二单模光纤之间的间隔长度；c为待测磁流体的浓度；m为待测磁流体的磁化强度；ΔL为腔长改变量；E为UV胶膜的杨氏模量；υ为UV胶膜的泊松比；r为UV胶膜的薄膜半径；h为UV胶膜的薄膜厚度； 基于所述干涉光谱、施加于UV胶膜的力以及腔长改变量，确定波长漂移量与待测磁流体的磁化强度之间的关系，以得到待测磁流体的磁化强度； 波长漂移量与待测磁流体的磁化强度之间的关系，对应的表达式为： 其中，Δλ为波长漂移量；L为法布里-珀罗干涉仪的腔长。

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