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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种氮化镓晶体管和砷化镓VCSEL异质三维集成器件结构和制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852846B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411677474.X，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种氮化镓晶体管和砷化镓VCSEL异质三维集成器件结构和制作方法是由刘志宏;罗诗文;周瑾;危虎;杜航海;冯欣;邢伟川;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓晶体管和砷化镓VCSEL异质三维集成器件结构和制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓晶体管和砷化镓VCSEL异质三维集成器件结构和制作方法，属于半导体技术领域，所述器件结构自下而上包括：底层金属、N面反射镜、VCSEL发光区、P面反射镜、VCSEL键合金属、氮化镓器件键合金属、氮化镓衬底层、氮化镓外延层、金属通孔、氮化镓晶体管电极源极、氮化镓晶体管电极栅极和氮化镓晶体管电极漏极；所述器件基于金属键合实现三维异质垂直集成，从而得到氮化镓器件和砷化镓VCSEL三维集成材料结构和器件结构，并提出了可行的制备方法。

本发明授权一种氮化镓晶体管和砷化镓VCSEL异质三维集成器件结构和制作方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓晶体管和砷化镓VCSEL异质三维集成器件结构，其特征在于：所述器件结构自下而上依次包括：砷化镓VCSELN电极金属1112砷化镓VCSELN极反射镜2、砷化镓VCSEL发光区3、砷化镓VCSELP极反射镜4、砷化镓VCSELP电极金属41、砷化镓VCSEL键合金属5、氮化镓器件键合金属6、氮化镓器件背面和通孔金属9、氮化镓衬底层7、氮化镓外延层8、金属通孔10、氮化镓晶体管电极源极91、氮化镓晶体管电极栅极92和氮化镓晶体管电极漏极93； 砷化镓VCSELN电极金属11、12砷化镓VCSELN极反射镜2、砷化镓VCSEL发光区3、砷化镓VCSELP极反射镜4、砷化镓VCSELP电极金属41、砷化镓VCSEL键合金属5组成砷化镓VCSEL器件，砷化镓VCSEL发光区实现光子激射，光束从背面射出； 氮化镓器件键合金属6、氮化镓器件背面和通孔金属9、氮化镓衬底层7、氮化镓外延层8、金属通孔10、氮化镓晶体管电极源极91、氮化镓晶体管电极栅极92和氮化镓晶体管电极漏极93组成氮化镓晶体管，氮化镓外延层8为三族氮化物材料，可以为GaN、AlN、InN中的一种或者几种组合；氮化镓外延层8中形成导电沟道，受到氮化镓晶体管电极栅极92的调控，工作时电流从氮化镓晶体管电极漏极93流向氮化镓晶体管电极源极91； 氮化镓晶体管和砷化镓VCSEL；通过金属键合的方式，实现三维垂直集成，电流从氮化镓晶体管电极漏极93，通过氮化镓晶体管电极源极91、氮化镓器件背面和通孔金属9、氮化镓器件键合金属6、砷化镓VCSELP电极金属41、砷化镓VCSEL键合金属5流向砷化镓VCSELP极反射镜4，给砷化镓VCSEL发光区3提供空穴和砷化镓VCSELN电极金属1112提供的电子复合发光，实现氮化镓晶体管电极栅极92对砷化镓VCSEL发光的调控。

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