中国科学院半导体研究所韦欣获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利外腔半导体激光器阵列结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890910B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510062751.4，技术领域涉及：H01S5/024；该发明授权外腔半导体激光器阵列结构是由韦欣;袁崇献;王泂淏;邱小浪;李川川设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本外腔半导体激光器阵列结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种外腔半导体激光器阵列结构，涉及半导体激光器技术领域，用以解决常规散热方式难以满足外腔半导体激光器及其阵列的散热需求和热串扰问题，进而限制外腔半导体激光器及其阵列的输出功率和功率应用的技术问题。该结构包括：激光芯片，用于提供光增益；外腔反射镜，与激光芯片共同形成外部谐振腔，用于提供光反馈；外腔冷却液，填充于激光芯片和外腔反射镜之间，用于吸收激光芯片在工作过程中产生的热量；其中，外腔冷却液在激光器发射波长下的折射率与外部谐振腔的腔长相匹配，使得外部谐振腔能够满足谐振条件，从而实现激光输出。
本发明授权外腔半导体激光器阵列结构在权利要求书中公布了：1.一种外腔半导体激光器阵列结构，其特征在于，所述结构包括： 激光芯片，用于提供光增益； 外腔反射镜，与所述激光芯片共同形成外部谐振腔，用于提供光反馈； 外腔冷却液，填充于所述激光芯片和所述外腔反射镜之间，用于吸收所述激光芯片在工作过程中产生的热量； 其中，所述外腔冷却液在激光器发射波长下的折射率与所述外部谐振腔的腔长相匹配，使得所述外部谐振腔能够满足谐振条件，从而实现激光输出。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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