广东工业大学许佳雄获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种氧化镓忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907621B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510164189.6，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种氧化镓忆阻器及其制备方法是由许佳雄;徐宇祥;容泽仁;黄文超;邝智东;卢业思;廖茂成;刘振设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化镓忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种氧化镓忆阻器及其制备方法，具体为：在底电极的表面，借助喷墨打印这一技术手段，按照先后顺序依次制备Ga2O3层、SnO2层、顶电极。通过这一制备工艺获得的氧化镓忆阻器展现出优良的循环性能，且在多次循环操作过程中，其电学特性能够始终保持稳定。这表明以Ga2O3为忆阻材料并结合喷墨打印工艺制备的忆阻器在工作周期内具有极佳的稳定性，也能为其在实际应用中的稳定性提供有力保障；同时，本发明的制备工艺摒弃了传统的磁控溅射法，转而采用成本更为低廉的喷墨打印技术，简化了制备流程，降低了生产成本。解决了现有的忆阻器可选择范围窄、制备方法复杂的问题。
本发明授权一种氧化镓忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1，采用喷墨打印将Ga2O3前驱体溶液涂覆在底电极上，经干燥、煅烧，获得Ga2O3底电极层； 步骤S2，采用喷墨打印将SnO2前驱体溶液涂覆在Ga2O3层上，经干燥、煅烧，获得SnO2Ga2O3底电极层； 步骤S3，采用喷墨打印在SnO2层上制备顶电极，经干燥，获得具有顶电极SnO2Ga2O3底电极的氧化镓忆阻器。
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