南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司吴小明获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利一种带静电保护功能的LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119923033B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411897170.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种带静电保护功能的LED芯片及其制备方法是由吴小明;何云娟;王立;魏平;夏邦美设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带静电保护功能的LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种带静电保护功能的LED芯片及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上生长外延层，所述外延层从下至上包括依次层叠的N型半导体层、活性层和P型半导体层；在外延层上刻蚀出通孔，暴露出N型半导体层；制备介质层、反射层、晶圆键合阻挡层和晶圆键合粘结层，将晶圆键合粘结层与基板上的晶圆键合粘结层共晶键合；去除衬底；肖特基电极保护光刻；制备去边层，并光刻外延层形成沟道；制备钝化层，制备肖特基电极；图形化钝化层和去边层，制备N面电极。本发明通过在LED芯片的焊盘下方设置肖特基二极管，在不牺牲光功率的前提下，提高LED的抗静电放电能力。
本发明授权一种带静电保护功能的LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带静电保护功能的LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：在衬底上生长外延层，所述外延层从下至上包括依次层叠的N型半导体层、活性层和P型半导体层； S2：在外延层上刻蚀出通孔，暴露出N型半导体层； S3：制备介质层，所述介质层覆盖通孔侧壁； S4：在P型半导体层的表面制备反射层； S5：在外延层的表面制备晶圆键合阻挡层和晶圆键合粘结层，所述晶圆键合阻挡层填充通孔并通过通孔与N型半导体层形成欧姆接触，所述晶圆键合粘结层填平通孔； S6：将晶圆键合粘结层与基板上的晶圆键合粘结层共晶键合； S7：去除衬底，暴露出N型半导体层的一侧； S8：保护肖特基电极区域的N型半导体层，刻蚀和粗化其他未保护区域的N型半导体层； S9：在暴露出的N型半导体层的表面制备去边层，并光刻外延层和去边层形成沟道； S10：制备钝化层，并在N型半导体层的表面与通孔对应位置制备肖特基电极； S11：图形化钝化层和去边层； S12：制备N电极。
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