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龙图腾网获悉浙江立羽光电科技有限责任公司申请的专利氮化物材料制造设备与设备控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967842B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510176365.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权氮化物材料制造设备与设备控制方法是由廖翊韬设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化物材料制造设备与设备控制方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种氮化物材料制造设备与设备控制方法，包括：制造室、中转室与真空室，所述制造室和所述中转室位于所述真空室内；所述制造室包括第一生长室、退火室与第二生长室；所述第一生长室用于在所述衬底上制造第一化合物层；所述退火室用于对所述第一化合物层进行退火处理；所述第二生长室用于在退火处理后的所述第一化合物层上制造第二化合物层；所述中转室用于将衬底依次在第一生长室、退火室与第二生长室之间传送。使用本公开提出的氮化物材料制造设备，不仅使得氮化物晶体管器件的制备速度更快，同时减少了氮化物晶体管制备过程中的污染，改善了氮化物晶体管器件的质量。

本发明授权氮化物材料制造设备与设备控制方法在权利要求书中公布了：1.氮化物材料制造设备，其特征在于，包括制造室、中转室与真空室，所述制造室和所述中转室位于所述真空室内； 所述制造室包括第一生长室、退火室与第二生长室； 所述第一生长室用于在衬底上快速沉积第一化合物层，其中，所述第一化合物层作为缓冲层； 所述退火室用于对所述第一化合物层进行退火处理； 所述第二生长室用于在退火处理后的所述第一化合物层上慢速沉积第二化合物层，其中，所述第二化合物层作为缓冲层； 所述中转室用于将衬底依次在第一生长室、退火室与第二生长室之间传送； 其中，所述第一生长室包括物理气相沉积设备，所述第二生长室包括分子束外延设备，所述退火室用于将第一化合物层由多晶结构变为单晶结构； 其中，确定所述衬底进入所述第一生长室的第一时间点以及所述第一生长室制造所述第一化合物层的第一时长；根据所述第一时间点与所述第一时长，得到所述第一生长室制造所述第一化合物层完毕的第二时间点；根据所述第二时间点与所述退火室的预加热时长，得到所述退火室启动的第三时间点。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江立羽光电科技有限责任公司，其通讯地址为：310000 浙江省绍兴市诸暨市陶朱街道文种南路28号暨阳财富大厦5楼522室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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