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龙图腾网获悉厦门银科启瑞半导体科技有限公司申请的专利一种大功率808nm半导体激光器外延结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120300607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510772410.6，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种大功率808nm半导体激光器外延结构及其制造方法是由请求不公布姓名;张银桥;王建红;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大功率808nm半导体激光器外延结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种大功率808nm半导体激光器外延结构及其制造方法，包括由下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、N型限制层、N型波导层、第一隔离层、量子阱层、第二隔离层、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层；第一隔离层和第二隔离层均为AlxGa1‑xAs隔离层，其中，0.1≤x≤0.45，利用AlxGa1‑xAs材料的生长，减缓反应室内部In对GaAsxP1‑x量子阱层的影响，减少了非辐射复合和载流子的损耗，增加了发光效率；P型波导层为P型GaxIn1‑xP波导层，利用Mg元素不易扩散的性质，可以避免使用Zn元素掺杂导致Zn扩散至量子阱区域；P型Al1‑y1Gay1xIn1‑xP限制层采用Zn元素掺杂，避免了Mg元素在AlGaInP材料有效掺杂存在上限带来的体电阻偏大的问题。

本发明授权一种大功率808nm半导体激光器外延结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种大功率808nm半导体激光器外延结构，其特征在于：包括由下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、N型限制层、N型波导层、第一隔离层、量子阱层、第二隔离层、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层； 所述量子阱层为GaAsxP1-x量子阱层，其中，0.8≤x≤0.9；所述第一隔离层和第二隔离层均为AlxGa1-xAs隔离层，其中，0.1≤x≤0.45； 所述N型波导层为N型GaxIn1-xP波导层；所述P型波导层为P型GaxIn1-xP波导层，掺杂元素为Mg；所述P型限制层为P型Al1-y1Gay1xIn1-xP限制层，掺杂元素为Zn，掺杂量为3-4E18cm-3； 所述P型波导层和P型限制层之间设有P型渐变层，所述P型渐变层为P型Al1-yGayxIn1-xP渐变层，其中，y为渐变量，y从1渐变为y1，使GaxIn1-xP材料渐变为Al1-y1Gay1xIn1-xP材料，所述P型Al1-yGayxIn1-xP渐变层的掺杂元素为Zn； 利用AlxGa1-xAs材料的生长，减缓反应室内部In对GaAsxP1-x量子阱层的影响，改善GaAsP量子阱的生长条件，提高了GaAsP量子阱的材料质量，减少了非辐射复合和载流子的损耗，增加了发光效率。

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