南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司王珍获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利一种GaN自发光透镜Micro-LED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120603420B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511113872.3，技术领域涉及：H10H29/855；该发明授权一种GaN自发光透镜Micro-LED及其制备方法是由王珍;谢欣宇;刘志华;李璠;林家盛;顾思怡;王立;江风益设计研发完成，并于2025-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN自发光透镜Micro-LED及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种GaN自发光透镜Micro‑LED及其制备方法，通过将自发光半导体层的结构设置成有聚光效果的微透镜或类微透镜结构，且自发光半导体层整体被半导体钝化层包覆，半导体钝化层上对应于N型半导体层的位置处开设有钝化层通孔，半导体钝化层的表面沉积有电流扩展层，电流扩展层通过钝化层通孔与N型半导体层接触，具体的，将发光的有源层整体纳入微透镜中，形成材料‑光电‑光学三功能同质集成，在提高光子逃逸概率的同时，彻底消除了异质界面导致的热失配问题。
本发明授权一种GaN自发光透镜Micro-LED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN自发光透镜Micro-LED，其特征在于，包括依次层叠的驱动基板、驱动基板金属层、芯片键合金属层以及自发光半导体层； 所述驱动基板金属层由阴电极金属层和与所述阴电极金属层间隔的阳电极金属层组成，所述芯片键合金属层和所述自发光半导体层依次设置于所述阳电极金属层上，所述自发光半导体层包括依次层叠的P型半导体层、有源半导体层以及N型半导体层； 其中，所述自发光半导体层的结构为有聚光效果的微透镜或类微透镜结构，且所述自发光半导体层整体被半导体钝化层包覆，所述半导体钝化层上对应于所述N型半导体层的位置处开设有钝化层通孔，所述半导体钝化层的表面沉积有电流扩展层，所述电流扩展层通过所述钝化层通孔与所述N型半导体层接触。
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