沈阳仪表科学研究院有限公司李迎辉获国家专利权
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龙图腾网获悉沈阳仪表科学研究院有限公司申请的专利高灵敏度的硅基压阻式压力传感器及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120651395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511163514.3，技术领域涉及：G01L1/20；该发明授权高灵敏度的硅基压阻式压力传感器及制作方法是由李迎辉;李永清;何方;张治国;郑浩;祝永峰;任向阳;贾文博;刘美华;王文佐;李昌振;国嘉程;陈文彬;王卉如;刘永祥设计研发完成，并于2025-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本高灵敏度的硅基压阻式压力传感器及制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及压力传感器制作技术领域，尤其涉及一种高灵敏度的硅基压阻式压力传感器及制作方法，先将双抛晶圆硅片作为衬底，在衬底顶面生长绝缘介质层；在绝缘介质层上沉积多晶硅薄膜以形成多晶硅膜层；在多晶硅膜层上进行二次氧化以形成预设厚度的二次氧化层；在真空条件下对多晶硅膜层进行离子注入以形成压阻敏感器件层；刻蚀二次氧化层和多晶硅膜层以形成敏感器件；对敏感器件进行退火及再扩散处理；在退火再扩后的敏感器件表面沉积第二绝缘介质层；刻蚀第二绝缘介质层以形成器件连接导线；通过光刻、金属沉积及刻蚀工艺在器件连接导线顶部及外侧预设区域以形成焊盘及金属导线结构，用于解决硅基压阻式压力传感器绝缘性能较弱的问题。
本发明授权高灵敏度的硅基压阻式压力传感器及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高灵敏度的硅基压阻式压力传感器的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 将清洗后的双抛晶圆硅片作为衬底，在所述衬底顶面生长绝缘介质层； 在所述绝缘介质层上沉积多晶硅薄膜，以形成多晶硅膜层； 在所述多晶硅膜层上进行二次氧化，以形成预设厚度的二次氧化层； 在真空条件下对所述多晶硅膜层进行离子注入，以形成压阻敏感器件层； 通过光刻及刻蚀工艺刻蚀所述二次氧化层和多晶硅膜层，以形成敏感器件； 对所述敏感器件进行退火及再扩散处理，以获得退火再扩后的敏感器件； 在退火再扩后的敏感器件表面沉积第二绝缘介质层，以作为所述敏感器件的顶部及侧面保护层； 通过光刻及刻蚀工艺刻蚀所述第二绝缘介质层，以形成器件连接导线； 通过光刻、金属沉积及刻蚀工艺在器件连接导线顶部及外侧预设区域，以形成焊盘及金属导线结构。
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