成都新紫光半导体科技有限公司吴信德获国家专利权
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龙图腾网获悉成都新紫光半导体科技有限公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223450894U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422836563.6,技术领域涉及:H01L23/522;该实用新型半导体器件是由吴信德设计研发完成,并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了:本公开涉及一种半导体器件,包括半导体衬底,所述半导体衬底上形成有多个栅极结构,所述半导体器件还包括覆盖所述栅极结构和所述半导体衬底的介质层,所述介质层上位于相邻的所述栅极结构之间形成有接触孔,所述接触孔包括由上至下依次布置的上段、中段以及下段,其中,所述下段的平均宽度大于所述中段的平均宽度,且小于所述上段的平均宽度。这样,通过扩大下段的宽度,能够增大下段导电插塞的横截面积,增加底部接触面积,从而使得形成于接触孔中的导电插塞阻值较小,提高了整个半导体器件的性能。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,其特征在于,包括半导体衬底,所述半导体衬底上形成有多个栅极结构,所述半导体器件还包括覆盖所述栅极结构和所述半导体衬底的介质层,所述介质层上位于相邻的所述栅极结构之间形成有接触孔,所述接触孔包括由上至下依次布置的上段、中段以及下段,其中,所述下段的平均宽度大于所述中段的平均宽度,且小于所述上段的平均宽度。
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