台湾积体电路制造股份有限公司李振铭获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体元件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223450895U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422097158.7，技术领域涉及：H01L23/538；该实用新型半导体元件是由李振铭;吴仕杰;黄柏瑜;吴以雯;杨复凯;王美匀设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件在说明书摘要公布了：提供一种半导体管芯及其形成方法。所述半导体管芯包括第一内连线结构、包括导电特征的第二内连线结构以及位于第一内连线结构与第二内连线结构之间的元件层。元件层包括半导体鳍、位于半导体鳍上的第一栅极结构、相邻于第一栅极结构的源极漏极区以及延伸穿过半导体鳍以电性连接至源极漏极区及第一栅极结构的共享接触件。导电特征接触共享接触件。
本实用新型半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包括： 第一内连线结构； 第二内连线结构，包括导电特征；以及 元件层，位于所述第一内连线结构与所述第二内连线结构之间，所述元件层包括： 半导体鳍； 第一栅极结构，位于所述半导体鳍上； 源极漏极区，相邻于所述第一栅极结构；以及 共享接触件，延伸穿过所述半导体鳍以电性连接至所述源极漏极区及所述第一栅极结构，所述导电特征接触所述共享接触件。
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