台湾积体电路制造股份有限公司黄立贤获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223450896U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422502147.2，技术领域涉及：H01L23/538；该实用新型半导体装置是由黄立贤;郭婷婷;庄曜群;卢胤龙;黄智睦设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型的实施例提供一种半导体装置包括半导体衬底和衬底穿孔。半导体衬底包括第一侧和与第一侧相对的第二侧。衬底穿孔包括第一部分和堆叠在第一部分之上且连接到第一部分的第二部分，第一部分延伸穿过半导体衬底的第一侧，第二部分延伸穿过半导体衬底的第二侧，并且第一部分的高深宽比大于第二部分的深宽比，衬底穿孔的第一和第二部分可各自具有较低的深宽比，因此可消除与具有高深宽比的衬底穿孔相关的缺陷，而改善半导体装置的电气性能和可靠度。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 半导体衬底，包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；以及 衬底穿孔，包括第一部分和堆叠在所述第一部分之上且连接到所述第一部分的第二部分，所述第一部分延伸穿过所述半导体衬底的所述第一侧，所述第二部分延伸穿过所述半导体衬底的所述第二侧，并且所述第一部分的深宽比大于所述第二部分的深宽比。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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