杭州广立微电子股份有限公司侯嘉慧获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州广立微电子股份有限公司申请的专利ILD厚度监测结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223450897U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422857931.5，技术领域涉及：H01L23/544；该实用新型ILD厚度监测结构是由侯嘉慧;苌文龙;袁天浩设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本ILD厚度监测结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种ILD厚度监测结构，包括：测试单元和金属走线层，其中，所述测试单元包括：衬底，所述衬底上形成有有源区；栅极结构，形成于所述有源区上；以及层间介质层，覆盖所述栅极结构，其中，在所述层间介质层中形成有接触孔；所述金属走线层形成于所述层间介质层上，包括第一金属线和第二金属线，所述第一金属线通过所述接触孔与所述栅极结构电接触，且所述第二金属线交叠于所述栅极结构的第一区域。本申请有效监控交叠区域的ILD介质层过薄导致的金属层和栅极的漏电，提高了工艺监测的效率。
本实用新型ILD厚度监测结构在权利要求书中公布了：1.一种ILD厚度监测结构，其特征在于，包括：测试单元和金属走线层，其中，所述测试单元包括： 衬底，所述衬底上形成有有源区； 栅极结构，形成于所述有源区上；以及 层间介质层，覆盖所述栅极结构，其中，在所述层间介质层中形成有接触孔； 所述金属走线层形成于所述层间介质层上，包括第一金属线和第二金属线，所述第一金属线通过所述接触孔与所述栅极结构电接触，且所述第二金属线交叠于所述栅极结构的第一区域。
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