台湾积体电路制造股份有限公司陈瑞麟获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223452324U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422576880.9，技术领域涉及：H10D30/62；该实用新型半导体结构是由陈瑞麟;李谷桓;王屏薇;洪连嵘;李振铭设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体结构。半导体结构包括沿着X方向延伸的第一鳍以及与所述第一鳍平行且沿着垂直于所述X方向的Y方向与所述第一鳍间隔开的第二鳍。每个鳍形成有沿着X方向排列的第一装置区域以及第二装置区域；设置在所述多个鳍之间的隔离区；设置在每个鳍中的所述多个装置区域之间的隔离结构；设置在所述多个鳍下方的隔离层。所述隔离区接触所述隔离层，所述隔离结构接触所述隔离层，并且所述隔离区接触所述隔离结构，以将所述第一鳍与所述第二鳍隔离，以及将每个鳍中的所述第一装置区域与所述第二装置区域隔离。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 沿着X方向延伸的第一鳍以及与所述第一鳍平行且沿着垂直于所述X方向的Y方向与所述第一鳍间隔开的第二鳍，其中所述第一鳍以及所述第二鳍中的每一鳍形成有沿着X方向排列的第一装置区域以及第二装置区域； 设置在所述第一鳍与所述第二鳍之间的隔离区； 设置在所述第一鳍以及所述第二鳍中的每一鳍里的所述第一装置区域与所述第二装置区域之间的隔离结构；以及 设置在所述第一鳍与所述第二鳍下方的隔离层，其中所述隔离区接触所述隔离层、所述隔离结构接触所述隔离层，以及所述隔离区接触所述隔离结构，以将所述第一鳍与所述第二鳍隔离，并且以将所述第一鳍以及所述第二鳍中的每一鳍里的所述第一装置区域与所述第二装置区域隔离。
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