江苏慧易芯科技有限公司张鹏程获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏慧易芯科技有限公司申请的专利一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223452325U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422751232.2，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构是由张鹏程;孟宇设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构，所述结构包括至少一组MOSFET单元；所述MOSFET单元包括有源区和终端区；所述有源区包括第一沟槽，在所述第一沟槽内形成屏蔽栅结构；所述终端区包括第二沟槽和第三沟槽，在所述第二沟槽内形成源极引出结构，在所述第三沟槽内形成栅极引出结构，所述第二沟槽的宽度和所述第三沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度，且第二沟槽的宽度满足源多晶硅接触孔光刻对准工艺的要求，第三沟槽的宽度满足栅多晶硅接触孔的光刻对准工艺的要求。本实用新型解决了因沟槽宽度缩小导致源多晶硅和栅多晶硅的宽度同时缩小，进而造成源多晶硅接触孔和栅多晶硅接触孔光刻工艺对准限制的问题。
本实用新型一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构，其特征在于，包括至少一组MOSFET单元；所述MOSFET单元包括有源区和终端区； 所述有源区包括第一沟槽，在所述第一沟槽内形成屏蔽栅结构；在所述第一沟槽外部两侧形成体区和源区，体区和源区通过源区接触孔连接至源区金属； 所述终端区包括第二沟槽和第三沟槽，在所述第二沟槽内形成源极引出结构，所述源极引出结构包括源多晶硅；所述源多晶硅通过源多晶硅接触孔连接至源区金属； 在所述第三沟槽内形成栅极引出结构，所述栅极引出结构包括栅多晶硅；所述栅多晶硅通过栅多晶硅接触孔连接至栅区金属； 所述第二沟槽的宽度和所述第三沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度，且第二沟槽的宽度满足源多晶硅接触孔光刻对准工艺的要求，第三沟槽的宽度满足栅多晶硅接触孔的光刻对准工艺的要求。
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