江苏慧易芯科技有限公司张鹏程获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏慧易芯科技有限公司申请的专利屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223452327U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422751247.9，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构是由张鹏程;孟宇设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构，所述结构包括衬底和外延层；所述外延层包括依次生长于衬底的第一外延层和第二外延层；在所述外延层中设置有至少一个MOSFET器件单元；所述MOSFET器件单元包括两组第一沟槽和位于两组所述第一沟槽之间的第二沟槽；在所述第一沟槽中设置有屏蔽栅结构，在所述第二沟槽中生长有源多晶硅结构；所述第一沟槽的两侧以及第一沟槽和第二沟槽之间掺杂为体区。本实用新型在相同击穿电压的要求下，第二外延层的参杂浓度可以增加，从而电阻率变低，导通电阻Ron减小，进而可以减小MOSFET器件的功率损耗。
本实用新型屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构，其特征在于：包括衬底和外延层；所述外延层包括依次生长于衬底的第一外延层和第二外延层；在所述外延层中设置有至少一个MOSFET器件单元； 所述MOSFET器件单元包括两组第一沟槽和位于两组所述第一沟槽之间的第二沟槽；在所述第一沟槽中设置有屏蔽栅结构，在所述第二沟槽中生长有源多晶硅结构；所述第一沟槽的两侧以及第一沟槽和第二沟槽之间掺杂为体区。
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