台湾积体电路制造股份有限公司高嘉鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223452329U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422680984.4，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型集成电路器件是由高嘉鸿;陈志良;庄惠中;吴国晖设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种集成电路器件，其包括放置在半导体衬底前侧上的第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅极、第一外延区以及第二外延区、在所述第一外延区与所述第二外延区之间延伸并穿过所述第一栅极的第一沟道、以及分别直接上覆所述第一外延区以及所述第二外延区的第一类金属界定metal‑likedefined,MD片段以及第二类金属界定片段。第一电源轨位于所述半导体衬底的背侧，第一通孔结构从所述第一外延区延伸到所述第一电源轨，并且第二通孔结构从所述第一类金属界定片段延伸到所述第一电源轨。
本实用新型集成电路器件在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，其特征在于，包括： 第一晶体管，其位于半导体衬底的前侧上，所述第一晶体管包括： 第一栅极； 第一外延区以及第二外延区； 第一沟道，其在所述第一外延区以及所述第二外延区之间延伸，并且穿过所述第一栅极；以及 第一类金属界定片段以及第二类金属界定片段，其分别直接上覆所述第一外延区以及所述第二外延区； 第一电源轨，其位于所述半导体衬底的背侧上； 第一通孔结构，其从所述第一外延区延伸到所述第一电源轨；以及 第二通孔结构，其从所述第一类金属界定片段延伸到所述第一电源轨。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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